公开(公告)号：CN103165475A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210548637.5

申请日：2012-12-17

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种半导体封装器件的制造方法。制造形成的QFN半导体封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有的台阶结构的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。

公开(公告)号：CN103050452A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210550161.9

申请日：2012-12-17

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103050419A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210548720.2

申请日：2012-12-17

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/54

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了具有多圈引脚排列的QFN的制造方法。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀和蚀刻方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN102354691A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110344522.X

申请日：2011-11-04

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法。本高密度四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN102338763A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110147793.6

申请日：2011-06-02

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  王旭明 ,  班兆伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  朱文辉

IPC分类号： G01N25/72

摘要： 一种用于红外热成像法检测微电子封装结构缺陷的装置，属于电子封装行业无损检测领域。底座1由两端的两个接地脚，一个中间承力梁组成，承力梁开有两个贯通的圆孔.立柱7的下端以过盈配合的方式装配到贯通的圆孔内。立柱7上分别装配了下横梁2，上横梁6，螺杆传动轴承9和托环13.下横梁2的前端用小螺栓12连接了一个试样台16，后端用螺栓连接螺杆套3，钠灯13通过连接块4，连接架5和圆环夹子14固定在立柱7上。螺杆传动轴承装配在立柱的上端，螺杆传动轴承上装有把手，通过转动把手可以改变下横梁在立柱上的位置，从而实现试样台高低位置的变化。本发明结构简单，装置平稳，操作方便，可以实现红外无损检测。

公开(公告)号：CN103021876B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210549526.6

申请日：2012-12-17

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种高密度QFN封装器件的制造方法。制造形成的高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、以及外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103000649B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210480106.7

申请日：2012-11-22

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  陈思 ,  夏国峰 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。

公开(公告)号：CN103021983B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210478722.9

申请日：2012-11-22

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  陈思 ,  夏国峰 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器领域。其包括晶圆，晶圆的正面为形成图像传感区的第一表面，晶圆的负面为第二表面；第一表面自上而下：微镜头、金属互联层和光学交互区；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O连接到硅通孔；硅通孔孔壁制作作钝化层并填充；在重分布层上用聚合物材料制作第二保护层；第一表面与玻璃片之间键合，玻璃片和晶圆之间形成空腔；第二表面进行减薄，通过蚀刻工艺形成凹槽结构并暴露出硅通孔；第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫；在线路层上制作防焊层并暴露焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明减少了工艺流程，提高了产品可靠性、生产效率，降低了生产的成本。

公开(公告)号：CN103065975B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210549512.4

申请日：2012-12-17

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种再布线QFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的再布线QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN102339809B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110344630.7

申请日：2011-11-04

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种多圈引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法。本多圈引脚排列四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。