公开(公告)号：CN102818765A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210310455.4

申请日：2012-08-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  刘程艳 ,  于大全 ,  万里兮

IPC分类号： G01N19/00 ,  G01L5/00

摘要： 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。

公开(公告)号：CN102818765B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210310455.4

申请日：2012-08-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  刘程艳 ,  于大全 ,  万里兮

IPC分类号： G01N19/00 ,  G01L5/00

摘要： 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。

公开(公告)号：CN202903388U

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201220431433.9

申请日：2012-08-28

申请人： 北京工业大学

发明人： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  夏国峰 ,  刘程艳 ,  于大全 ,  万里兮

IPC分类号： G01L1/00 ,  G01N33/00

摘要： 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置，属于电子信息技术领域。实验装置主要由压头，实验试样，试样载台和铂金电加热片四部分组成。所述的试样载台上开有一个通孔，且直径要比试样中Cu孔的直径要大。试样载台位于最下部，实验试样在试样载台上，并且实验试样中硅通孔同试样载台中的通孔对中。铂金电加热片共四片，位于实验试样上表面硅通孔的四周。本实用新型的装置进行测试时能够最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响原结构形貌导致残余应力释放等的操作，使得测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。