半导体装置
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108573937A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810182489.7

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本说明书公开一种半导体装置,具备:第一及第二半导体元件,在两个面具备电极;第一及第二金属板,夹着第一半导体元件,通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合;及第三及第四金属板,夹着第二半导体元件,通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中,从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头,这些接头由第三焊料接合,第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高,且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。

    半导体装置
    53.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103871989B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201310654629.3

    申请日:2013-12-06

    Inventor: 门口卓矢

    Abstract: 半导体装置。根据本发明的半导体装置(1)包括:平板形式的半导体元件(2),所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面;绝缘层(6),所述绝缘层覆盖位于半导体元件(2)的第一表面侧上的控制布线(4);金属块(8),所述金属块经由焊料层接合到半导体元件(2)的第一表面侧;和保护膜(7a),所述保护膜形成在金属块(8)和绝缘层(6)之间,所述保护膜(7a)的硬度等于或者大于金属块(8)的硬度。当从第一表面侧观察时,保护膜(7a)形成在至少包括金属块(8)的边缘部分和控制布线(4)相互交叉的位置的区域中。

    功率模块
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103534805A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201180070873.4

    申请日:2011-05-16

    Abstract: 一种功率模块,其将表面上接合有第一开关元件的第一电极、表面上接合有第二开关元件的第二电极、和第三电极,按照所述第一电极、所述第一开关元件、所述第二电极、所述第二开关元件以及所述第三电极的顺序而配置于层压方向上,所述功率模块的特征在于,具有:第一至第三电极片,分别与所述第一至第三电极电连接;第一及第二信号线,分别与所述第一及第二开关元件电连接,所述第一至第三电极片和所述第一及第二信号线以在与所述第二电极同一平面上向外侧延伸的方式而设置。

    半导体装置的制造方法
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109285787B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201810786958.6

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法,关于该半导体装置,金属板在树脂封装体的两面露出,提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中,准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中,将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中,以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体,在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入,并使树脂硬化。在去除工序中,去除覆盖金属板的树脂部分。

    半导体装置
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108573937B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810182489.7

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本说明书公开一种半导体装置,具备:第一及第二半导体元件,在两个面具备电极;第一及第二金属板,夹着第一半导体元件,通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合;及第三及第四金属板,夹着第二半导体元件,通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中,从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头,这些接头由第三焊料接合,第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高,且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。

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