半导体装置的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109285787B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201810786958.6

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法,关于该半导体装置,金属板在树脂封装体的两面露出,提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中,准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中,将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中,以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体,在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入,并使树脂硬化。在去除工序中,去除覆盖金属板的树脂部分。

    半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108573937B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810182489.7

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本说明书公开一种半导体装置,具备:第一及第二半导体元件,在两个面具备电极;第一及第二金属板,夹着第一半导体元件,通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合;及第三及第四金属板,夹着第二半导体元件,通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中,从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头,这些接头由第三焊料接合,第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高,且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。

    半导体模块
    3.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117795676A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202280054738.9

    申请日:2022-07-15

    Inventor: 岩崎真悟

    Abstract: 一种半导体模块(10),包括:电路基板(17);适用于与电路基板连接的逆变器电路的多个半导体开关元件(24Up、24Un、24Vp、24Vn、24Wp、24Wn);多个母线;以及将电路基板、多个半导体开关元件和多个母线一体密封的模塑件(11),多个半导体开关元件沿电路基板的平面方向配置,多个母线包括:第一母线(26U,26V,26W),上述第一母线将包含在逆变器电路的各电桥支路中的多个半导体开关元件彼此串联连接;以及第二母线(27),上述第二母线与电桥支路的高电位侧或低电位侧连接,并且配置在第一母线与电路基板之间,第一母线和第二母线在沿俯视观察电路基板的方向观察时,至少一部分彼此重叠,在第一母线中流动的电流的方向与在第二母线中流动的电流的方向相反。

    半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板

    公开(公告)号:CN108630652B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201810224113.8

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上,设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内,并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时,金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。

    半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106992158A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201610839901.9

    申请日:2016-09-21

    Abstract: 一种半导体装置,包括:半导体元件;热沉,其包括第一表面和第二表面,所述半导体元件接合到所述第一表面,所述第二表面为所述第一表面的相对侧上的表面;以及封装件,其与所述半导体元件以及所述热沉的所述第一表面相接触,所述封装件在外面中包括凹部,其中所述热沉包括厚部和薄部,所述薄部具有比所述厚部的厚度小的厚度,并且所述薄部位于以最短距离将所述半导体元件的外面与所述凹部连接的线上。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111293095A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201911237096.2

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具备:第一部件;第二部件,其经由第一焊料层与第一部件的第一区域接合;以及第三部件,其经由第二焊料层与第一部件的第二区域接合。第一区域和第二区域位于第一部件的一侧。第一焊料层中含有由熔点高于第一焊料层的材料构成的多个支撑颗粒,第二焊料层中不含有上述支撑颗粒。

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