公开(公告)号：CN102738290B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210203828.8

申请日：2012-06-20

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 郑新和 ,  吴渊渊 ,  张东炎 ,  李雪飞 ,  陆书龙 ,  杨辉

IPC: H01L31/0735 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。

公开(公告)号：CN105470317A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410464974.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 谭明 ,  陆书龙 ,  代盼 ,  吴渊渊 ,  季莲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电池的制备方法。本发明实施例提供的柔性衬底GaAs薄膜电池的制备方法中，采用倒置外延生长工艺，并通过键合工艺将GaAs薄膜电池连接到柔性衬底上，避免了外延结构层薄膜与柔性衬底粘合时造成外延层的损伤与断裂。

公开(公告)号：CN102790098B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210250372.0

申请日：2012-07-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 季莲 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  董建荣 ,  何巍 ,  代盼

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电池薄膜；3）从牺牲层处将GaAs衬底和牺牲层剥离，直至显露出电池薄膜表面；4）在电池薄膜表面制备背电极；5）提供一具有反射介质膜的基底；6）将所述反射介质膜表面转移至背电极表面。

公开(公告)号：CN104716238A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310675320.2

申请日：2013-12-12

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 任昕 ,  陆书龙 ,  边历峰

IPC: H01L33/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L33/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0062

Abstract: 本发明公开了一种双色光电器件，包括p型GaAs衬底，形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱，以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层，所述双色光电器件为单片集成的单个器件。本发明还公开了一种双色光电器件的制作方法。由于本发明的双色光电器件为单片集成的单个器件，成本低，利于小型化设备的制造。

公开(公告)号：CN102738267B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210203843.2

申请日：2012-06-20

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 郑新和 ,  李雪飞 ,  张东炎 ,  吴渊渊 ,  陆书龙 ,  杨辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。

公开(公告)号：CN102184999B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110083015.5

申请日：2011-04-02

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵春雨 ,  董建荣 ,  陆书龙 ,  李奎龙 ,  赵勇明 ,  季莲 ,  杨辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。

公开(公告)号：CN103066159A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310011682.1

申请日：2013-01-11

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 谭明 ,  陆书龙 ,  季莲 ,  何巍 ,  代盼

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法，包括：I、在半绝缘衬底上生长外延层；II、在相邻设定电池单元之间的选定区域内均加工形成底端达到和/或深入横向传输层的槽状结构，并在槽状结构底部形成隔离槽；III、在槽状结构内壁上形成绝缘层，其后选择性去除隔离槽一侧的横向传输层上的绝缘层，并在露出的横向传输层上形成背电极，以及在各设定电池单元上端面上形成顶电极；IV、在任一槽状结构内均设置导电结构层，并将与该槽状结构相应的一设定电池单元的背电极与相邻的另一设定电池单元的顶电极电连接。本发明可实现多个电池单元之间的串联，提高了热光伏电池单片连接组件的开路电压，减少焦尔损失，提高系统可靠性，并实现较高光电转换效率。

公开(公告)号：CN103022058A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281336.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 索尼公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吉田浩 ,  池田昌夫 ,  内田史朗 ,  丹下贵志 ,  仓本大 ,  有持佑之 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  郑新和

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0735 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。

公开(公告)号：CN102623575A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210111925.4

申请日：2012-04-17

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵勇明 ,  陆书龙 ,  季莲 ,  何巍 ,  李奎龙 ,  李鹏 ,  董建荣 ,  杨辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法，包括以下步骤：一、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在InP衬底上生长一层InP缓冲层；二、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤一的InP缓冲层表面从下至上依次生长至少一层InAsP过渡层；三、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤二的InAsP过渡层上生长InGaAs电池层，获得目标产品。本发明能够在InP衬底上生长与InP衬底晶格失配的外延层，突破了晶格常数的限制，可以获得高质量InGaAs材料，得到高效的热光伏电池，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN102299159A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110235554.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 李奎龙 ,  董建荣 ,  陆书龙 ,  赵勇明 ,  于淑珍 ,  杨辉

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两个双结电池通过晶格异变生长渐变过渡层串联，所述渐变过渡层包括AlxIn1-xAs渐变过渡层，其中x=1~0.48；其制备方法为：在采用晶格变异法依次生长形成与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池的过程中，采用In组分线性渐进和/或步进的方法生长渐变过渡层将该两个双结电池串联。本发明四结级联太阳电池具有1.90eV、1.42eV、~1.03eV、0.73eV的带隙组合，可实现对太阳光谱的充分利用，减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失，进而提高电池效率，且其制备方法简单，成本低廉。