公开(公告)号：CN113035781B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110254999.2

申请日：2021-03-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张亚东 ,  刘战峰 ,  吴振华 ,  殷华湘

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法，该方法包括：提供牺牲层衬底和目标衬底，在牺牲层衬底上形成第一氧化层，在目标衬底上形成第二氧化层；在第一氧化层上依次形成二维材料层以及第三氧化层，并对第三氧化层以及二维材料层进行刻蚀，露出部分第一氧化层，形成多个岛状结构；形成包裹岛状结构的保护结构，各个岛状结构分别对应一个保护结构；在保护结构以及露出的部分第一氧化层上形成第四氧化层；将第四氧化层与第二氧化层进行键合，并暴露岛状结构中的二维材料，以实现二维材料的晶圆级转移。实现晶圆级二维材料的高质量转移，最大程度上保证二维材料原有的电学性能。

公开(公告)号：CN109326650B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201811178260.2

申请日：2018-10-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 朱慧珑 ,  吴振华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，围绕沟道层的外周形成有栅堆叠；其中，在第一源/漏层和第二源/漏层的至少一个中形成有至少一个界面结构，所述界面结构的两侧的导带能级不同和/或价带能级不同。

公开(公告)号：CN113206090A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110300887.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗彦娜 ,  殷华湘 ,  吴振华 ,  张青竹 ,  曹磊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件，具体为提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟道结构；所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构；所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向。形成第一环绕式栅极结构，其设置在所述I型沟道结构周围；形成第二环绕式栅极结构，其设置在所述II型沟道结构周围。与现有技术相比，本发明有益的技术效果为：本发明利用侧墙掩蔽与选择性分步刻蚀结合的方法，实现Vertical Nano‑sheet与Horizontal Nano‑sheet的垂直集成，达到同时优化NMOS与PMOS沟道晶向的目的，实现在单一晶圆上NMOS与PMOS的性能同时优化。

公开(公告)号：CN113178488A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110232775.1

申请日：2021-03-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张青竹 ,  殷华湘 ,  曹磊 ,  张兆浩 ,  顾杰 ,  田佳佳 ,  李俊杰 ,  姚佳欣 ,  李永亮 ,  张永奎 ,  吴振华 ,  赵鸿滨 ,  罗军 ,  王文武 ,  屠海令 ,  叶甜春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；本发明半导体器件在纳米片的沟道释放过程中保留了部分牺牲层作为器件支撑结构，可在基本不影响器件亚阈值特性的情况下，大幅增加驱动电流；可维持源漏施加应力，提升器件迁移率；减小器件制备复杂度和电学特性波动性；通过和衬底的连接可以增加导电沟道散热，改善自热效应；通过调节支撑结构的宽度和高度调节器件阈值，工艺上也低了高K介质层和金属栅极的填充要求，有利于实现多阈值调控。

公开(公告)号：CN113035781A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110254999.2

申请日：2021-03-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张亚东 ,  刘战峰 ,  吴振华 ,  殷华湘

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法，该方法包括：提供牺牲层衬底和目标衬底，在牺牲层衬底上形成第一氧化层，在目标衬底上形成第二氧化层；在第一氧化层上依次形成二维材料层以及第三氧化层，并对第三氧化层以及二维材料层进行刻蚀，露出部分第一氧化层，形成多个岛状结构；形成包裹岛状结构的保护结构，各个岛状结构分别对应一个保护结构；在保护结构以及露出的部分第一氧化层上形成第四氧化层；将第四氧化层与第二氧化层进行键合，并暴露岛状结构中的二维材料，以实现二维材料的晶圆级转移。实现晶圆级二维材料的高质量转移，最大程度上保证二维材料原有的电学性能。

公开(公告)号：CN108878422B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810502936.2

申请日：2018-05-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李俊杰 ,  吴振华 ,  张青竹 ,  王文武

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，凹槽与绝缘部一一对应；步骤S3，刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分，剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除纳米线之外的基底形成第一基底本体，绝缘部位于第一基底本体的表面上。上述的制作方法形成的纳米线的晶格比较完美，器件的性能较好；并且，该制作方法中，纳米线附着在绝缘部上，即绝缘部为纳米线提供了支撑，使得该纳米线可以做得很长且很细，不会发生断裂问题，且可以实现纳米线的高密度。

公开(公告)号：CN108878422A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810502936.2

申请日：2018-05-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李俊杰 ,  吴振华 ,  张青竹 ,  王文武

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/092 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/1033

Abstract: 本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，凹槽与绝缘部一一对应；步骤S3，刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分，剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除纳米线之外的基底形成第一基底本体，绝缘部位于第一基底本体的表面上。上述的制作方法形成的纳米线的晶格比较完美，器件的性能较好；并且，该制作方法中，纳米线附着在绝缘部上，即绝缘部为纳米线提供了支撑，使得该纳米线可以做得很长且很细，不会发生断裂问题，且可以实现纳米线的高密度。