中间搬送室、基板处理系统及该中间搬送室的排气方法

    公开(公告)号:CN100514557C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200710112597.9

    申请日:2007-06-22

    Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括:对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括:设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。

    大气输送室和被处理体的处理后输送法

    公开(公告)号:CN100477103C

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200610008360.1

    申请日:2006-02-21

    Abstract: 本发明提供一种大气输送室,使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时,还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13),包括了在其内部配置在上侧的FFU(34),FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成,风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇,除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55),除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器,由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘,供给到加载模块(13)内部的下侧。

    基板搬送模块以及基板处理系统

    公开(公告)号:CN101355021A

    公开(公告)日:2009-01-28

    申请号:CN200810144356.7

    申请日:2008-07-28

    Inventor: 山涌纯 守屋刚

    CPC classification number: H01L21/67766 H01L21/67778 H01L21/67781

    Abstract: 本发明提供一种基板搬送模块和基板处理系统,装载模块(14)通过负载锁定模块(12)与对晶片W实施蚀刻处理的处理模块(11)连接并且具有搬送晶片W的基板搬送装置(16)和收容该基板搬送装置(16)的搬送室(15),该搬送室(15)内与外部氛围气体隔绝,搬送室(15)内的压力为大气压,基板搬送装置(16)具有保持晶片W的拾取器(19)和使该拾取器(19)移动的臂部(20),装载模块(14)具有隔绝装置(18),其收容拾取器(19)和该拾取器(19)所保持的晶片W,使得与搬送室(15)的内部氛围气体相隔绝。由此能够防止构成部件发生腐蚀、颗粒向基板的附着、基板搬送模块成本的提高和大型化。

    基板处理系统和基板清洗装置

    公开(公告)号:CN101276739A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810086918.7

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: H01L21/67051 H01L21/6708

    Abstract: 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统,作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括:收容晶片(W)的腔室(38);配置在该腔室(38)内的底部上,放置晶片W的载置台(39);配置在腔室(38)内的顶部,与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。

    基板处理装置用部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101244945A

    公开(公告)日:2008-08-20

    申请号:CN200710165026.1

    申请日:2005-11-10

    Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤,使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低,缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理,热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动,从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。

    基板清洗装置和基板清洗方法

    公开(公告)号:CN100388430C

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200510067931.4

    申请日:2005-04-28

    Abstract: 本发明提供一种不损伤基板,可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置(1)备有:腔室(10);配置于该腔室(10)内并载置晶片(W)的基座(11);配置于该基座(11),施加高电压的电极板(20);给所述腔室(10)内排气的粗排放管线;在基座(11)和晶片(W)之间产生空间(S)的顶推销(30);把N2气体供给到空间(S)的传热气体供给孔(27),和向腔室10内导入处理气体等的浇淋头(33),在生成空间S时,极性不同的高电压交互地施加于电极板(20),N2气体向着晶片(W)的背面喷出到空间(S),并且腔室(10)内被排气,进而在腔室(10)内被减压时,N2气体向腔室(10)导入。

    基板处理装置用部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100388418C

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200510117786.6

    申请日:2005-11-10

    Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31),将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中,将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32),将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近,利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。

    中间搬送室、基板处理系统及该中间搬送室的排气方法

    公开(公告)号:CN101127302A

    公开(公告)日:2008-02-20

    申请号:CN200710112597.9

    申请日:2007-06-22

    Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括:对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括:设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。

    处理装置及该处理装置内的颗粒除去方法

    公开(公告)号:CN100349043C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200510052917.7

    申请日:2005-02-28

    CPC classification number: H01L21/67248 H01J37/32935 H01J2237/0225

    Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括:对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。

    减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置

    公开(公告)号:CN1931453A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200610151435.1

    申请日:2004-08-25

    Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散,清洁部件,采用将电压加在部件上,利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法;使微颗粒带电,利用库仑力飞散的方法,将气体导入减压处理室中,使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件,使微颗粒飞散的方法;使部件温度上升,利用热应力和热泳动力,使微颗粒飞散的方法;或将机械振动给与部件,使微颗粒飞散的方法。另外,使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

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