公开(公告)号：CN100477103C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610008360.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  广冈隆明 ,  清水昭贵 ,  田中谕志

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。

公开(公告)号：CN1835193A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610008360.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  广冈隆明 ,  清水昭贵 ,  田中谕志

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。