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公开(公告)号：CN109390314B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201810890497.7
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件的连接系统，所述半导体封装件的连接系统包括：印刷电路板；第一半导体封装件，设置在印刷电路板的第一表面上并通过第一电连接结构连接到印刷电路板；第二半导体封装件，设置在印刷电路板的第二表面上并通过第二电连接结构连接到印刷电路板；以及第三半导体封装件，设置在第一半导体封装件上并通过第三电连接结构连接到第一半导体封装件。第一半导体封装件包括应用处理器(AP)，第二半导体封装件包括存储器，第三半导体封装件包括电源管理集成电路(PMIC)。
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公开(公告)号：CN111128667A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
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公开(公告)号：CN101533849B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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公开(公告)号：CN101533892A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127435.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN100340943C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN01140390.X
申请日：2001-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16
CPC classification number: H01R13/641
Abstract: 本发明公开了一种装备有LAN信号处理单元和调制解调器信号处理单元的计算机系统，其包括：共用连接器，一个要连接到LAN信号处理单元的外LAN连接器和一个要连接到调制解调器信号处理单元的外调制解调器连接器被有选择地连接到其上；连接器检测器，设置在共用连接器上，并且检测外LAN连接器和外调制解调器连接器中哪一个连接到共用连接器；和控制部件，控制要发送到对应于连接器检测器检测到的LAN信号处理单元和调制解调器信号处理单元中的一个外连接器的预定信号。利用这种配置，降低了生产成本，并且使安装硬件组件的空间更宽松。
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公开(公告)号：CN101026767A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710006594.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金亨俊
IPC: H04N7/52
Abstract: 提供一种提高数字多媒体广播(DMB)接收终端中的信道改变速度的设备和方法。所述设备包括：DMB缓冲单元，缓冲DMB数据；DMB提取器，仅提取当前设置的信道的DMB数据；控制器，将改变的信道设置到DMB信号接收单元中，以使得可使用提取的DMB数据来输出DMB节目。从DMB信号接收单元输出的DMB数据被存储在DMB缓冲单元中，与用户所设置的信道相应的DMB数据被提取。因此，可在不用停止或不用重新开始DMB接收单元的DMB接收操作的情况下执行信道改变，从而减少信道改变所需的时间。
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公开(公告)号：CN111106117B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910909872.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/00 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法被如下提供。形成孔以穿过初始第一模层和初始第二模层以分别形成在垂直于下部结构的垂直方向上交替地堆叠在下部结构上的第一模层和第二模层。沿着孔的侧表面部分地蚀刻第一模层，以形成凹陷区域和凹陷的第一模层。在凹陷区域中形成第三模层以形成层间绝缘层，使得每个层间绝缘层包括在垂直方向上位于相同水平的对应的第三模层和对应的凹陷的第一模层。在孔中形成第一电介质层以覆盖彼此堆叠的第三模层和第二模层。在第一电介质层上形成信息存储图案。
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公开(公告)号：CN117219622A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310682672.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器和包括其的器件以及其制备方法。电容器可包括第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；以及在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的电介质层。所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三元素。所述第三元素的化合价可低于所述第二元素的化合价，并且所述第三元素可为掺杂剂。
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