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公开(公告)号：CN108063145A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
CPC classification number: H01L27/14667 , B82Y15/00 , H01L27/14636 , H01L31/0264 , H01L31/074 , H01L27/14601 , H01L27/307
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
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公开(公告)号：CN102956694B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201210305411.2
申请日：2012-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。
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公开(公告)号：CN102044255B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738237A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN102044255A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010246856.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN108063145B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
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公开(公告)号：CN118159034A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311674381.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由HfxAyOz表示的化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且2(x+y)
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公开(公告)号：CN116137287A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211433777.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件、其制造方法、半导体装置及电子装置。该半导体器件包括具有包含掺杂剂的沟道层的基板、在沟道层上的铁电层、以及在铁电层上的栅极。沟道层具有1×1015cm‑3至1×1021cm‑3的掺杂浓度。
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