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公开(公告)号：CN110246685A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910643637.5
申请日：2019-07-17
申请人： 徐靖才
摘要： 本发明涉及一种钐铁氮薄膜的制备方法，该发明首先在磁场下采用离子液体脉冲电沉积法制备钐铁薄膜；再将钐铁薄膜置于热处理炉中退火和氢化；最后通入高纯氮气进行氮化得到钐铁氮薄膜。本发明利用磁场、离子液体和脉冲电沉积的工艺条件，使Sm3+、Fe2+能够共沉积形成钐铁薄膜；本发明纳米尺寸的钐铁薄膜，通过退火氢化，为氮化提供有利条件，得到含氮量较高的钐铁氮薄膜，且该薄膜具有较高的磁能积和优异的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN105483615B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410478795.7
申请日：2014-09-18
申请人： 清华大学
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/28 , C01B21/072 , H01F10/18
摘要： 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106298150B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610821930.2
申请日：2016-09-13
申请人： 华北电力大学 , 昭和电线电缆系统株式会社 , 江苏中天科技股份有限公司
摘要： 本发明属于超导磁体领域，特别涉及一种基于ReBCO螺旋涂层导体片的超导磁体及制备方法。所述超导磁体的主体结构由超导片和绝缘片交替叠加而成，每两片超导片之间为一片绝缘片；还包括电流引线和固定装置。超导片采用ReBCO涂层超导体，超导面用激光切割成螺旋带，通过焊接螺旋带的端部使电流沿螺旋带不间断传输下去，然后通过上下法兰盘及拉杆对磁体进行固定。最后对不同尺寸的超导磁体进行嵌套使产生的磁场加强。本发明具有高能量密度、损耗小、体积小、避免产生磁通跳跃的优点，更容易满足高场强、高能量密度等高端技术需求。
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公开(公告)号：CN106298150A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610821930.2
申请日：2016-09-13
申请人： 华北电力大学 , 昭和电线电缆系统株式会社 , 江苏中天科技股份有限公司
摘要： 本发明属于超导磁体领域，特别涉及一种基于ReBCO螺旋涂层导体片的超导磁体及制备方法。所述超导磁体的主体结构由超导片和绝缘片交替叠加而成，每两片超导片之间为一片绝缘片；还包括电流引线和固定装置。超导片采用ReBCO涂层超导体，超导面用激光切割成螺旋带，通过焊接螺旋带的端部使电流沿螺旋带不间断传输下去，然后通过上下法兰盘及拉杆对磁体进行固定。最后对不同尺寸的超导磁体进行嵌套使产生的磁场加强。本发明具有高能量密度、损耗小、体积小、避免产生磁通跳跃的优点，更容易满足高场强、高能量密度等高端技术需求。
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公开(公告)号：CN105463393A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/165 , C23C14/5806 , H01F10/007 , H01F10/18 , H01F41/18 , H01F41/22
摘要： 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103833353B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410026061.5
申请日：2014-01-21
申请人： 河南科技大学
IPC分类号： H01F10/18 , H01F41/22 , C04B35/47 , C04B35/622
摘要： 一种镨、铁共掺杂的钛酸锶多铁性薄膜的制备工艺，钛酸锶薄膜由分子式为Sr1-xPrxTi1-yFeyO3的材料组成，其中，0.025≤x≤0.075，0.05≤y≤0.3；制备工艺：按分子式的摩尔比称取乙酸锶、氧化镨、钛酸丁酯和硝酸铁，分为两个步骤用乙酸和乙二醇甲醚溶解乙酸锶和钛酸丁酯，用乙二醇甲醚溶解硝酸铁，用浓硝酸与氧化镨反应，最终混合形成浓度为0.2mol/L的溶液C，将溶液C在甩胶机中甩胶，然后烘干和热分解，至干膜厚度达到300nm，退火得Sr1-xPrxTi1-yFeyO3薄膜。本发明通过镨、铁共掺杂所诱导出钛酸锶的铁电性和磁性出现在室温附近，实现了一种新的单相多铁材料的制备。
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公开(公告)号：CN104451544A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410654439.6
申请日：2014-11-17
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/28 , H01F10/18 , H01F41/205
摘要： 本发明涉及一种无铅磁电复合薄膜及其制备方法，所述磁电复合薄膜包括0.5BaZr0.2Ti0.8O3-0.5Ba0.7Ca0.3TiO3陶瓷衬底以及沉积在该衬底上的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。
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公开(公告)号：CN101538711B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910047945.8
申请日：2009-03-20
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种电泳沉积和溶胶-凝胶相结合制备铁电-铁磁复合厚膜的方法。本发明的制备方法包括如下步骤：首先通过电泳沉积方法制备一定厚度的铁酸钴厚膜，再用溶胶凝胶方法涂覆BaTiO3薄膜后经高温热处理制得。本发明的方法制备的铁电-铁磁厚膜具有良好的电性能和磁性能，可以应用于制备厚膜传感器、微位移器、反馈系统等。
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公开(公告)号：CN101421800A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013151.9
申请日：2007-04-10
申请人： JDS尤尼弗思公司
发明人： 凡拉帝米尔·P.·瑞克沙 , 罗杰·W.·菲利普 , 查尔斯·T.·迈肯特斯 , 保罗·G.·库马斯
IPC分类号： H01F10/10 , H01F10/187 , H01F10/18
CPC分类号： B42D25/405 , B42D25/00 , B42D25/369 , B42D2033/16 , B42D2033/20 , B42D2035/20 , C01P2004/80 , C09C1/0015 , C09C1/0081 , G07D7/04 , G07D7/128 , Y10T428/24802 , Y10T428/24893 , Y10T428/24909
摘要： 本发明公开了一种安全图象，该图象由均匀地混合在载体中的具有第一颜色的薄片和具有第二不同的颜色的薄片形成。所述具有第二颜色的薄片是磁性可定向的并且所述具有第一颜色的薄片是非磁性的并且在磁场中不能排列或定向。通过将至少一个单层涂覆区域暴露在基本垂直于上面涂覆有薄片涂层的所述基底的磁场中，当所述磁性薄片是直立的并且所述非磁性薄片平躺在所述基底上时提供了具有第一颜色的可视区域。在另一个没有施加磁场的区域中，可以看见具有不同于第一颜色或第二颜色但是由第一颜色或第二颜色形成的第三感觉的颜色的可视区域。
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公开(公告)号：CN118888254A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411275208.4
申请日：2024-09-12
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种磁各向异性薄膜及其制备方法。本发明的磁各向异性薄膜，通过在CoFeB层之间MgO层插入Zr层，或，在MgO层和保护层之间插入Zr层，同时Zr层的厚度≤1nm，本发明选择Zr原子作为与MgO反应的对象，通过改变Zr层的厚度对薄膜进行氧调控，从而引起薄膜磁各向异性的改变；本发明的磁各向异性薄膜的制备方法，制备过程中无需通入除氩气外的气体，也不需要经过高温高真空退火处理，仅通过改变Zr层的厚度，调控MgO的氧含量，进而影响薄膜磁各向异性，即可调控薄膜的磁各向异性，该方法制备过程工艺简单，控制方便、效率高、成本低廉。
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