-
公开(公告)号：CN109825803A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910165040.4
申请日：2019-03-05
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法。本发明将蒸发材料放入适当的电阻加热体内，通电使蒸发材料直接加热蒸发，从而使蒸发材料以气态形式沉积到基片上形成薄膜。本发明首先采用电阻式蒸发技术沉积400nm左右纯金属Mg膜在Ge单晶基片上，形成Ge/Mg薄膜结构，随后置于真空退火炉中退火，获得较高质量Mg2Ge半导体薄膜。本发明具有生产成本较低，能够进行工业化生产的优点。
-
公开(公告)号：CN105070806B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg2Si薄膜，n‑Mg2Si薄膜的上表面为p‑Mg2Si薄膜，p‑Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n‑Si膜；在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
-
公开(公告)号：CN105464021A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201511011404.1
申请日：2015-12-30
申请人： 贵州大学
CPC分类号： E01F13/042
摘要： 本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法，该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单片机，所述的单片机分别与控制箱内的信号接收器以及红外接收器连接，信号接收器与外部的信号发射器通过无信通讯连接，红外接收器通过信号线与控制箱内的红外测距仪连接。本发明不仅可以实现主开车回来时不用下车就可以通过手中的信号发射器控制车位锁的开启，顺利驶入泊车位，而且车主将车开出后，通过红外测距仪感知车辆驶出距离便可将停车位自动锁上，无需担心忘记锁车位，有效防止车位被他人占用。
-
公开(公告)号：CN105070806A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
CPC分类号： H01L33/002 , H01L33/26
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n-Mg2Si薄膜，n-Mg2Si薄膜的上表面为p-Mg2Si薄膜，p-Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n-Si膜；在n-Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p-Si膜；将溅射后的n-Si、Mg和p-Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p-Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
-
公开(公告)号：CN101781753A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010148151.3
申请日：2010-04-16
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。
-
公开(公告)号：CN110134261B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910430599.5
申请日：2019-05-22
申请人： 贵州大学
IPC分类号： G06F3/0354
摘要： 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均安装在一笔状壳体上；中央处理器还连接控制有惯性传感器；中央处理器至少有两种工作模式。本发明既能在电脑显示屏幕上提供真实书写体验、还原真实笔迹，基本等同于在纸上书写的字迹，不影响人用笔的书写习惯，也能提供常规激光笔的激光指向功能，一定程度上可以代替触摸屏组件，其设置简单，用户体验好，市场前景佳。
-
公开(公告)号：CN109467088A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
申请人： 贵州大学
IPC分类号： C01B32/956 , B03C1/12
摘要： 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
-
公开(公告)号：CN105441877B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe‑Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
-
公开(公告)号：CN106653569A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611156214.3
申请日：2016-12-14
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02266 , H01L21/02107
摘要： 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。与现有技术相比，本发明采用石墨片为衬底，直接以Si靶为靶材，采用磁控溅射法，工艺参数易于控制，且制备的SiC薄膜均匀，重复性良好，解决硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，且克服现有技术存在的工艺参数难控制，成本较高，难于大规模生产等缺点。本发明属于半导体薄膜制备技术领域。
-
公开(公告)号：CN105463393A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/165 , C23C14/5806 , H01F10/007 , H01F10/18 , H01F41/18 , H01F41/22
摘要： 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
40 条记录 (耗时 0.03 秒)
