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公开(公告)号：CN108377137A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810424780.0
申请日：2018-05-07
Applicant: 贵州大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种高压大功率集成运算放大器，它包括：输入级电路：用结型场效应管做差分输入对管，采用共源-共栅结构，用双极型晶体管作有源负载，对输入信号进行预处理，抑制共模信号，放大差模信号，将信号传输到中间级电路；中间级电路：对输入级电路的输出信号进行放大，并传输到输出级电路；输出级电路：采用NPN+NPN复合达林顿管结构实现电流输出，与负载连接；偏置电路：为输入级电路、中间级电路、输出级电路和保护电路提供静态电流；解决了现有技术的高压功率模拟集成运算放大器通常采用多个芯片和外围辅助电路混合集成或厚膜集成来实现，具有体积较大，成本高，电路结构复杂，可靠性差等缺陷等技术问题。
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公开(公告)号：CN109467088B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B32/956 , B03C1/12
Abstract: 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
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公开(公告)号：CN108377137B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810424780.0
申请日：2018-05-07
Applicant: 贵州大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种高压大功率集成运算放大器，它包括：输入级电路：用结型场效应管做差分输入对管，采用共源‑共栅结构，用双极型晶体管作有源负载，对输入信号进行预处理，抑制共模信号，放大差模信号，将信号传输到中间级电路；中间级电路：对输入级电路的输出信号进行放大，并传输到输出级电路；输出级电路：采用NPN+NPN复合达林顿管结构实现电流输出，与负载连接；偏置电路：为输入级电路、中间级电路、输出级电路和保护电路提供静态电流；解决了现有技术的高压功率模拟集成运算放大器通常采用多个芯片和外围辅助电路混合集成或厚膜集成来实现，具有体积较大，成本高，电路结构复杂，可靠性差等缺陷等技术问题。
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公开(公告)号：CN109467088A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B32/956 , B03C1/12
Abstract: 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137147A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910591447.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，它包括：顶层芯片、中间层芯片和底层芯片，其特征在于：所述顶层芯片、中间层芯片和底层芯片重叠放置，顶层芯片、中间层芯片和底层芯片通过SiO2与底部铜热层键合在一起；顶层芯片、中间层芯片和底层芯片上均匀设置有散热TSV孔；解决了三维集成功率系统的热稳定性问题。
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公开(公告)号：CN109387262A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811477425.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 贵州大学
IPC: G01F23/26
Abstract: 本发明公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器结构，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN209291977U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201822200180.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B32/956 , B03C1/12
Abstract: 本实用新型公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208508893U
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201820665656.9
申请日：2018-05-07
Applicant: 贵州大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本实用新型公开了一种高压大功率集成运算放大器电路结构，它包括：输入级电路：用结型场效应管做差分输入对管，采用共源-共栅结构，用双极型晶体管作有源负载，对输入信号进行预处理，抑制共模信号，放大差模信号，将信号传输到中间级电路；中间级电路：对输入级电路的输出信号进行放大，并传输到输出级电路，输出级电路：采用NPN+NPN复合达林顿管结构实现电流输出，与负载连接；偏置电路：为输入级电路、中间级电路、输出级电路和保护电路提供静态电流；解决了现有技术的高压功率模拟集成运算放大器通常采用多个芯片和外围辅助电路混合集成或厚膜集成来实现，具有体积较大，成本高，电路结构复杂，可靠性差等缺陷等技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208953078U
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201822036046.5
申请日：2018-12-05
Applicant: 贵州大学
IPC: G01F23/26
Abstract: 本实用新型公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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