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公开(公告)号：CN104600155A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510010905.1
申请日：2015-01-09
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种红外探测器的制备方法，该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg2Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg2Si薄膜上表面上镀一层上电极，本发明所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的适应性高的元素，即对环境友好的半导体材料；能回收、再生利用、能源消耗少、对环境负荷小的半导体工艺；有助于能源和环境可持续发展的太阳能电池、热电变换元素等。
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公开(公告)号：CN105070806B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg2Si薄膜，n‑Mg2Si薄膜的上表面为p‑Mg2Si薄膜，p‑Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n‑Si膜；在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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公开(公告)号：CN105070806A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
CPC分类号： H01L33/002 , H01L33/26
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n-Mg2Si薄膜，n-Mg2Si薄膜的上表面为p-Mg2Si薄膜，p-Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n-Si膜；在n-Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p-Si膜；将溅射后的n-Si、Mg和p-Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p-Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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公开(公告)号：CN204332971U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201520014583.3
申请日：2015-01-09
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开一种红外探测器，包括衬底，在衬底上表面设置Mg2Si薄膜，Mg2Si薄膜上表面连接上电极，在衬底下表面设置下电极，本实用新型所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的适应性高的元素，即对环境友好的半导体材料；能回收、再生利用、能源消耗少、对环境负荷小的半导体工艺；有助于能源和环境可持续发展的太阳能电池、热电变换元素等。
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公开(公告)号：CN204741027U
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201520521746.7
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
摘要： 本实用新型公开了一种发光二极管，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n-Mg2Si薄膜，n-Mg2Si薄膜的上表面为p-Mg2Si薄膜，p-Mg2Si薄膜的上表面有p电极；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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