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公开(公告)号：CN105483617A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511002465.1
申请日：2015-12-29
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN105441877A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe-Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN104600155A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510010905.1
申请日：2015-01-09
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种红外探测器的制备方法，该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg2Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg2Si薄膜上表面上镀一层上电极，本发明所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的适应性高的元素，即对环境友好的半导体材料；能回收、再生利用、能源消耗少、对环境负荷小的半导体工艺；有助于能源和环境可持续发展的太阳能电池、热电变换元素等。
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公开(公告)号：CN105463393B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105441877B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe‑Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN106653569A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611156214.3
申请日：2016-12-14
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02266 , H01L21/02107
摘要： 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。与现有技术相比，本发明采用石墨片为衬底，直接以Si靶为靶材，采用磁控溅射法，工艺参数易于控制，且制备的SiC薄膜均匀，重复性良好，解决硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，且克服现有技术存在的工艺参数难控制，成本较高，难于大规模生产等缺点。本发明属于半导体薄膜制备技术领域。
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公开(公告)号：CN105463393A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510905593.0
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/165 , C23C14/5806 , H01F10/007 , H01F10/18 , H01F41/18 , H01F41/22
摘要： 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105070806B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg2Si薄膜，n‑Mg2Si薄膜的上表面为p‑Mg2Si薄膜，p‑Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n‑Si膜；在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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公开(公告)号：CN105464021A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201511011404.1
申请日：2015-12-30
申请人： 贵州大学
CPC分类号： E01F13/042
摘要： 本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法，该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单片机，所述的单片机分别与控制箱内的信号接收器以及红外接收器连接，信号接收器与外部的信号发射器通过无信通讯连接，红外接收器通过信号线与控制箱内的红外测距仪连接。本发明不仅可以实现主开车回来时不用下车就可以通过手中的信号发射器控制车位锁的开启，顺利驶入泊车位，而且车主将车开出后，通过红外测距仪感知车辆驶出距离便可将停车位自动锁上，无需担心忘记锁车位，有效防止车位被他人占用。
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公开(公告)号：CN105070806A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
申请人： 贵州大学
CPC分类号： H01L33/002 , H01L33/26
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n-Mg2Si薄膜，n-Mg2Si薄膜的上表面为p-Mg2Si薄膜，p-Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n-Si膜；在n-Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p-Si膜；将溅射后的n-Si、Mg和p-Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p-Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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