公开(公告)号：CN106653569A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611156214.3

申请日：2016-12-14

申请人： 贵州大学

发明人： 谢泉 ,  范梦慧 ,  艾学正 ,  王凯 ,  杨云飞 ,  张晋敏 ,  肖清泉 ,  廖杨芳 ,  谢晶 ,  黄晋 ,  马瑞 ,  陈茜

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02266 ,  H01L21/02107

摘要： 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。与现有技术相比，本发明采用石墨片为衬底，直接以Si靶为靶材，采用磁控溅射法，工艺参数易于控制，且制备的SiC薄膜均匀，重复性良好，解决硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，且克服现有技术存在的工艺参数难控制，成本较高，难于大规模生产等缺点。本发明属于半导体薄膜制备技术领域。