公开(公告)号：CN119677189A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411760485.4

申请日：2024-12-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  邹志伟 ,  郭俊雄 ,  龚天巡 ,  王靖然 ,  廖悦莹 ,  周钰翔 ,  林媛 ,  张晓升

IPC: H10F30/227 ,  H10F77/20 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种基于微纳结构的等离激元偏振敏感探测器。其创新点在于：(1)利用局域表面等离激元效应产生的电场增强了二硫化钼的光吸收率。(2)实现了二硫化钼光电探测器对偏振光的检测。主要的实现方案包括：将图形化金纳米结构转移到二硫化钼上，从而实现二硫化钼对偏振光的检测；通过金纳米阵列受到激发产生的局域表面等离激元效应，进一步使二硫化钼表面电场增强，从而增大了二硫化钼的载流子产生率。相较于传统的二硫化钼光电探测器，该器件可以实现对偏振光的检测，同时使二硫化钼对可见光(0.38～0.7μm)的吸收率有一定的增强，这极大提高了应用场景和适用范围。

公开(公告)号：CN116314392B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202310177623.5

申请日：2023-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 龚天巡 ,  于梦雅 ,  黄文 ,  张晓升

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/12 ,  H10F30/00 ,  B82Y15/00 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法，包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒，所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上，所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上，所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上，且通过分子间作用力进行与所述氧化锌纳米棒进行连接。本申请的光电传感器通过将二硫化钼层与氧化锌纳米棒高差基底复合形成一维/二维异质结构；利用光刻模板调控，使氧化锌纳米棒实现周期性阵列生长；先后采用磁控溅射和热退火工艺，在氧化锌纳米棒上实现金纳米颗粒均匀分布；纳米棒顶端的单层二硫化钼产生周期性应变效果。本发明具有制备方法简单、结构可控、均一性优、稳定性佳等优点。

公开(公告)号：CN119619286A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202510151637.9

申请日：2025-02-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 闫晓剑 ,  解云飞 ,  张晓升 ,  涂程 ,  龚天巡 ,  王彦 ,  黄文

IPC: G01N29/02 ,  G01N29/036 ,  G01N29/22 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及微机电技术领域及气体检测技术领域，具体为用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片，包括硅衬底，硅衬底为镂空的平板，其上形成有第一支撑梁和第二支撑梁，第一支撑梁和第二支撑梁交叉排布呈十字型，其中第一支撑梁上设有两个TPoS谐振器，两个TPoS谐振器关于十字型的交叉点对称，均包括自下而上依次设置的掺杂硅层、压电薄膜、以及顶部电极，顶部电极上设有自组装金纳米颗粒阵列，且该阵列中的金纳米颗粒为经官能团修饰的自组颗粒。本发明通过设置两个谐振与自组装金纳米颗粒阵列实现了对待检测气体的质量定量分析、以及对待检检测气体组分的精准分析。

公开(公告)号：CN118838005A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411241690.X

申请日：2024-09-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 龚天巡 ,  刘镇逸 ,  吕鲁豫 ,  朱贝林 ,  张晓升

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125

Abstract: 本发明提供了一种适用TE0模态米氏共振增强的微环谐振腔结构及方法，结构包括直波导与环波导，直波导、环波导均由波芯和包裹波芯的腔壁组成，直波导设置有直线形波芯，环波导设置有环形波芯，环波导的部分位置，将环形波芯替换为等距设置的圆柱波芯，圆柱波芯位于环波导内部，环波导提供空间上的共振条件，相邻圆柱波芯作用形成局域米氏共振，以使谐振叠加造成电磁场的增强。本发明结合了米氏共振和环波导的谐振增强电磁场，可以实现在特定波长显著增强场强的目的；同时具有模态选择性，可以实现同条件下针对TE0模态的局部电场增强，以及TM0模态的抑制；还具有结构紧凑且易于集成的特点。

公开(公告)号：CN114276682A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111128120.6

申请日：2021-09-26

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 黄文 ,  蒋翠翠 ,  孙润宁 ,  严博远 ,  龚天巡 ,  张杨 ,  张晓升

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出一种基于局域表面等离激元的双面感光探测器及制备方法，包括：下层的镶嵌有金纳米颗粒的聚二甲基硅氧烷（PDMS），金纳米颗粒在入射光照下产生局域表面等离激元；中间层的二维材料，可将吸收的入射光子转化成载流子；上层的氧化铟锡（ITO）和玻璃，ITO做二维材料的电极，玻璃做ITO的载体；本发明通过将金纳米颗粒镶嵌在PDMS里，并将PDMS与二维材料贴附在一起，增加金纳米颗粒与二维材料的粘附性，使后期的封装过程更简单。本发明在结构设计上将二维材料设计为可以从上下两面接受入射光，提高了器件的光电探测性能。

公开(公告)号：CN113447470A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110719537.3

申请日：2021-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 龚天巡 ,  王桂林 ,  关芳 ,  李浩楠 ,  严博远 ,  黄文 ,  张晓升

IPC: G01N21/65 ,  B05D1/00 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底、检测芯片及制备方法，在基体的表面制备一层金膜，然后向金膜滴加生物素；同时将链霉亲和素与金纳米颗粒孵化反应，离心后去除上清液，再滴加在金膜上，自组装形成单层的金膜‑金球结构，产生法诺共振光学响应，制得高增强的SERS基底。本发明的SERS基底与PDMS微流控芯片结合，提高了微流控芯片的应用范围及检测水平，并且制作方法简单，操作简单，便于携带，可实现同时检测血清和血液。

公开(公告)号：CN111740485B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010643929.1

申请日：2020-07-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张晓升 ,  张艺潇 ,  李愿芳 ,  龚天巡 ,  黄文 ,  钱恒毅 ,  王硕

IPC: H02J7/32 ,  H02M7/04

Abstract: 本发明公开了基于无源峰值检测的脉冲型微能源电源管理电路，涉及微能源能量管理领域，其技术方案要点是：包括依次连接的整流电路、降压电路以及储能模块，所述整流电路、降压电路之间设有基于无源峰值检测的开关电路，所述基于无源峰值检测的开关电路包括无源峰值检测电路和电子开关；所述无源峰值检测电路，用于对所述整流电路输出的单向脉冲信号进行脉冲检测，并在所述单向脉冲信号达到峰值时向所述电子开关发出开关控制信号；所述电子开关，串联于所述整流电路与降压电路之间，用于根据所述开关控制信号闭合后将整流电路与降压电路导通以实现能量最大化转移，在实现电路自驱动的基础上提高电路的通用性及其能量转换效率。

公开(公告)号：CN110875402B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201810996818.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  李尚栋 ,  郭俊雄 ,  贺振北 ,  何宇豪 ,  龚天巡 ,  林媛 ,  俞滨

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法，该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层；其中，金属纳米颗粒为圆锥状，底面直径为5～40nm、高度为3～17nm，金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。

公开(公告)号：CN111740637B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010639267.0

申请日：2020-07-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张晓升 ,  李愿芳 ,  张艺潇 ,  黄文 ,  龚天巡 ,  王硕 ,  钱恒毅

IPC: H02N1/04 ,  H02M7/04 ,  H02J1/10

Abstract: 本发明公开了全向滑动能量采集器件、柔性直供电微系统及电子设备，涉及微能源技术领域，其技术方案要点是：全向能量采集单元包括滑块以及阵列分布的固定块，滑块与固定块构成独立滑动式的摩擦纳米发电机；滑块、固定块均为栅状结构，固定块包括对称的第一梳齿状栅格、第二梳齿状栅格，第一梳齿状栅格、第二梳齿状栅格均由交替设置的奇数位栅格、偶数位栅格构成，奇数位栅格、偶数位栅格分别连接正负电极；当滑块沿X轴方向滑动时，奇数位栅格与偶数位栅格构成摩擦纳米发电机的电极；当滑块沿Y轴方向滑动时，第一梳齿状栅格、第二梳齿状栅格构成摩擦纳米发电机的电极，解决现有的摩擦纳米发电机电荷转移能力弱、机械能采集效率较低的问题。

公开(公告)号：CN113035965A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110253989.7

申请日：2021-03-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  唐雨晴 ,  龚天巡 ,  林媛 ,  张晓升

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法，该传感器采用PI薄膜作为基底，ITO作为电极，禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为：首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极，再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片，并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上，形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间)，结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低，且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性，相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景，且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性，此类光电探测器具有良好的光电探测性能，可实现良好的光电探测效果。