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公开(公告)号：CN106847925A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710087033.8
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
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公开(公告)号：CN106595661A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611007932.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器信号重构方法，首先，利用量子编码的叠加性构造蜜源，通过量子旋转门更新量子蜜蜂的搜寻方式，加速最优蜜源的搜索进程；然后针对量子蜂群算法易陷入局部最优的缺陷，引入一种自适应的量子交叉和量子变异方法对算法进行改进以产生新蜜源，提高种群多样性，避免算法陷入局部最优；进而选出与惯性传感器信号最为匹配的蜜源以完成信号的重构，实现在提高惯性传感器信号输出精度的同时满足信号实时处理的要求。本发明在缩短运行时间的同时，还提高了信号的信噪比，有利于惯性传感器信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN106129543A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610682339.3
申请日：2016-08-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯DC接触的双功能极化转换器，基底包括金属底层、硅中层和二氧化硅表层，人工结构为在基底表层上排成阵列的单元结构，所述单元结构为相互正交、中心重合的“工”型石墨烯臂与金属臂，石墨烯臂压在金属臂下方。纵向的石墨烯臂相互连接，横向的金属臂之间有间隙，单元结构阵列的中心处于基底中心线上，纵横向为10～200个单元结构，数量相等。“工”型石墨烯臂与金属臂均以纵向中心线左右对称、以横向中心线上下对称。本发明不改变结构参数，改变偏置电压Vg即可实现线极化和圆极化转换两种功能的切换；石墨烯臂首尾相连形成DC接触，利于石墨烯偏压的一体化控制；结构简单，易于加工生产；转换效率高达99％。
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公开(公告)号：CN105738990A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610281035.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G02B5/008 , G02B6/02052 , G02B6/262
Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。
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公开(公告)号：CN105428236A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511025094.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103077891B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN113659074B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110790769.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN111293397B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202010217484.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。
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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN118169877A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410467488.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于连续体准束缚态(Quasi‑BIC)强圆二色性的手性超表面器件，其结构由嵌入在各向异性介质中成对的硅(Si)介电棒构成，其中每对介电棒都有一个小的垂直位移d以消除镜像对称。本设计结构可以在650～700nm的近红外波长范围内实现强CD响应，当沿前向(+Z)或者后向(‑Z)入射圆偏振光时，结构会表现出相反的CD响应，并且使用旋转调制的方式可以使得最大CD响应为1。本设计所提出的方法新颖且容易实现，未来有望在对纳米光子学的柔性调谐和增强手性响应方面做出重要贡献。
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