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公开(公告)号：CN104134614B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410317374.6
申请日：2014-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种芯片焊接方法，该方法包括：根据芯片的焊接位置，在衬板的相应位置处设置键合引线，以在衬板上确定出焊片和芯片的定位区域；将焊片放入定位区域中；将芯片放入定位区域中，使得芯片覆盖在相应的焊片上；采用预设焊接工艺进行焊接处理，使得芯片与衬板之间通过焊片形成的焊层实现电路互连。本发明通过键合引线来实现对焊片和芯片的定位，不再需要使用焊接工装，简化了芯片焊接流程，降低了芯片焊接的成本。
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公开(公告)号：CN106803488A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510834949.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块焊接装置，包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装，所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区，所述焊片安装区由安装本体围成，所述安装本体包括多组隔片，多组所述隔片沿基板的长度方向分段设置。本发明具有保证焊片有效定位、提高组装效率及焊接质量的优点。
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公开(公告)号：CN105047653A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104992934A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510284780.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件子模组，包括：导电组件，导电组件包括第一导电体，与第一导电体相对设置的第二导电体，以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片，容纳导电组件的夹持组件，夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿叠置方向的夹持力。通过使用这种功率半导体器件子模组能防止芯片与第一导电体和第二导电体发生错位。
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公开(公告)号：CN102569276B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210031820.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同翼上，两组IGBT芯片分别位于十字形衬板相对的两翼上，所述FRD芯片和母排分别位于剩余相对的两翼上。本发明实施例将两组IGBT芯片对称的分布在十字形衬板的相对的两翼，并将FRD芯片和母排分别设置于剩余相对的两翼上，以使母排远离各个芯片，即母排转弯处下方的磁通密集区域内，没有设置任何芯片，从而避免了杂散电感对IGBT芯片或FRD芯片的干扰，保证了整个IGBT模块的稳定运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594458A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310536791.5
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种衬板结构，包括AlN陶瓷层、正面覆铜层、背面覆铜层以及正面的阻焊层，所述正面覆铜层上的母排焊接区处和/或芯片焊接区的周沿处设置限位件，所述限位件用来在焊接过程中对焊片以及芯片和/或母排的引脚进行定位。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、能够提高封装焊接工艺效率等优点。
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公开(公告)号：CN103367299A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310276065.4
申请日：2013-07-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块功率互联装置及其方法，装置包括：母排、侧框、基板、印制电路板、辅助端引线组件和衬板组件。基板的边缘处设置有侧框，母排和衬板组件均设置在基板上。辅助端引线组件的一端与位于基板上的功率模块电极相连，辅助端引线组件的另一端与印制电路板相连，基板与印制电路板之间通过辅助端引线组件可活动的连接。本发明解决了现有技术存在的需要大量手工操作、效率低下、质量问题发生率高的问题，工艺流程得到了极大的简化，在提高效率的同时，避免了人为因素导致的操作失误，同时半导体模块可以随时取下或重新组装，返修变得非常方便。
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公开(公告)号：CN102522353A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210002416.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法，将陶瓷衬板密封在非金属外壳中，并在所述非金属外壳内灌注绝缘胶，使所述陶瓷衬板与周围环境保持绝缘，所述陶瓷衬板的两面均覆盖有金属层，所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外壳，通过引出电极向所述陶瓷衬板加载电压，对陶瓷衬板进行局部放电测试，由于该装置能够将测试电压直接加载到所述陶瓷衬板上，能够得到陶瓷衬板的准确绝缘性能数据、而且，利用该装置能够在功率IGBT模块封装前，对陶瓷衬板进行局部放电测试，从而确保了陶瓷衬板的绝缘质量，进而提高了功率IGBT模块的绝缘质量。
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公开(公告)号：CN101673761B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号：CN101136378B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710035711.2
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件及其封装气密性检测方法及配气装置，包括管壳和管芯，管芯密闭在管壳内，管壳内充有一定压力的气体。管壳内充入的气体是由惰性气体与可检测气体混合的混合气体。半导体器件封装气密性的检测采用混合气体的检测方式。所提供的配气装置包括气体混合容器、惰性气体输入系统、可检测气体输入系统、混合气体输出系统和抽真空系统几部分，其中在混合容器上分别开有惰性气体入口与可检测气体的入口。惰性气体入口与可检测气体的入口可以是分别不同的两个入口，也可以共用一个入口。惰性气体入口与惰性气体输入系统相接；可检测气体的入口与可检测气体输入系统相接。
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