-
公开(公告)号：CN106849693A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510890753.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/00
CPC classification number: H02M7/003
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管模块，包括晶体管单元和多个相互叠置的导电件，在相互叠置的导电件之间设置有绝缘层，所述晶体管单元和导电件电连接。这种绝缘栅双极型晶体管模块具有较高的集成度。
-
公开(公告)号：CN103545282B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310541204.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子，其中，电极功率端子包括，第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极由一多层板构成，所述多层板包括N层电极板，相邻两层电极板之间设置有绝缘板，其中，M层电极板之间通过至少一个第一通孔实现电气连接构成所述第一电极，且各个所述第一通孔与除所述M层电极板以外的每一电极板均电气绝缘，除所述M层电极板以外的至少一层电极板构成所述第二电极。由于多层电极板之间通过第一通孔实现电气连接，可以实现多层电极板的相间排列，这样能够增大电极平行相对的面积，能够减小寄生电感。基于该电极功率端子的绝缘栅双极晶闸管模块产生的寄生电感也较低。
-
公开(公告)号：CN105047653A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
-
公开(公告)号：CN103545282A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310541204.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子，其中，电极功率端子包括，第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极由一多层板构成，所述多层板包括N层电极板，相邻两层电极板之间设置有绝缘板，其中，M层电极板之间通过至少一个第一通孔实现电气连接构成所述第一电极，且各个所述第一通孔与除所述M层电极板以外的每一电极板均电气绝缘，除所述M层电极板以外的至少一层电极板构成所述第二电极。由于多层电极板之间通过第一通孔实现电气连接，可以实现多层电极板的相间排列，这样能够增大电极平行相对的面积，能够减小寄生电感。基于该电极功率端子的绝缘栅双极晶闸管模块产生的寄生电感也较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102082524B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110053781.7
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片通过若干数量的IGBT芯片及FRD芯片按比例反并联连接而成四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本发明集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
-
公开(公告)号：CN105047653B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
-
公开(公告)号：CN102082524A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201110053781.7
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本发明集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
-
公开(公告)号：CN204257620U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420727986.8
申请日：2014-11-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块的辅助端子连接结构，包括衬板、功率端子转接组件及驱动电路板，衬板上设有一个以上的衬板级辅助触针，辅助信号通过衬板级辅助触针导出；驱动电路板上设置有一个以上的驱动电路板辅助触针，通过驱动电路板辅助触针进行信号的接收；功率端子转接组件上与衬板级辅助触针、驱动电路板辅助触针对应的位置处设有一个以上的功率端子转接孔，功率端子转接孔为导电孔且用来进行信号的传输。本实用新型具有能够实现功率模块快速组装、降低生产及组装成本、降低辅助接线的电感、提高功率模块可靠性等优点。
-
公开(公告)号：CN202068342U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201120057341.4
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本实用新型涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本实用新型集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.027 seconds)
