公开(公告)号：CN1797740A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510129027.1

申请日：2005-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/288 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：形成第1导电层；在上述第1导电层上形成第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层；在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分；在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层；在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分；用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。

公开(公告)号：CN101038857B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN200710085416.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  神保安弘 ,  藤井严 ,  木村肇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。

公开(公告)号：CN102522462B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201210008282.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  青木智幸 ,  伊佐敏行 ,  藤井严

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G04C10/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

公开(公告)号：CN102681235A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210133219.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  藤井严 ,  深井修次 ,  西毅

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/13392 ,  G02F2202/28

Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位，以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置，以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中，球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理，以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域，并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此，可通过在干燥液体时移动球形隔离件，来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

公开(公告)号：CN102522504A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110437252.7

申请日：2007-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

公开(公告)号：CN101681578B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200880019261.0

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C09K19/582 ,  G02F1/13439 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/16 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。作为用于显示装置的显示元件的电极层使用包括导电性聚合物的电极层，其中减少了该包括导电性聚合物的电极层所包含的离子性杂质的浓度(优选为100ppm或更少)。离子性杂质离子化而容易成为可动离子，使适用于显示元件的液晶层或电致发光层劣化。通过具备减少了这种离子性杂质的包括导电性聚合物的电极层，可以提高显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN1599523B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200410078766.8

申请日：2004-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰 ,  秋元健吾 ,  藤井严 ,  山口哲司

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明涉及显示器件及其制造方法，目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。

公开(公告)号：CN101345197B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810133345.9

申请日：2005-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  城口裕子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触孔的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触孔的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触孔。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。

公开(公告)号：CN101681578A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019261.0

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C09K19/582 ,  G02F1/13439 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/16 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。作为用于显示装置的显示元件的电极层使用包括导电性聚合物的电极层，其中减少了该包括导电性聚合物的电极层所包含的离子性杂质的浓度(优选为100ppm或更少)。离子性杂质离子化而容易成为可动离子，使适用于显示元件的液晶层或电致发光层劣化。通过具备减少了这种离子性杂质的包括导电性聚合物的电极层，可以提高显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN100533808C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510007056.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0022 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/055 ,  H01L51/529

Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。