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公开(公告)号：CN1525393B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200410007026.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/02
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法。用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN100583193C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480035192.4
申请日：2004-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , H05B33/10 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L33/005 , G02F1/1333 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/15 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L51/003 , H01L51/524 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2933/0025
Abstract: 提供一种高产量地制造具有较佳抗冲击属性的显示设备的方法，特别是提供一种制造具有使用塑料基板形成的光学薄膜的显示设备的方法。制造显示设备的这种方法包括以下步骤：在第一基板上层压金属膜、氧化物膜、以及滤光片；从第一基板中剥离滤光片；将滤光片贴到第二基板上；在第三基板上形成包括像素的层；以及将包括像素的层贴到滤光片上。
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公开(公告)号：CN100578534C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200310123564.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/02
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/105 , G06Q20/3415 , G07F7/1008 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2224/45147
Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm-1mm的范围内。
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公开(公告)号：CN101577271A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910147514.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制作方法，本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN1898712A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480035327.7
申请日：2004-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , H05B33/10 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56 , H01L2227/326
Abstract: 为提供一种高产量制造具有优良抗冲击性的显示装置的方法，特别是一种制造具有用塑料衬底制成的光学膜的显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括步骤：在第一衬底上顺序形成金属膜、氧化物膜和光学滤光片；从所述第一衬底上分离包括所述光学滤光片的层；将包括光学滤光片的层贴到第二衬底上；在第三衬底的一个表面上形成包含像素的层；将该含有像素的层贴到第四衬底上；以及将包括光学滤光片的层贴到所述第三衬底的另一表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1542909A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410043013.3
申请日：2004-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。
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公开(公告)号：CN1525393A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410007026.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/02
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN110233210B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910384499.3
申请日：2015-05-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M50/102 , H01M50/463 , H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 当作为二次电池的外包装体使用薄膜时，因为薄膜的强度比金属罐低，所以在从外部向二次电池施加压力时配置在由外包装体围绕的区域的集电体或设置在集电体表面上的活性物质层等有可能受到损伤。实现一种即使从外部向其施加外力时也有耐久性的二次电池。在二次电池中，在由外包装体围绕的区域设置缓冲材料。具体而言，在集电体的周边设置缓冲材料，以使外包装体(薄膜)的密封部位于在该缓冲材料的外侧。
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公开(公告)号：CN107123653A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710363003.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN106463777A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025230.6
申请日：2015-05-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M2/02 , H01M2/18 , H01M10/04
Abstract: 当作为二次电池的外包装体使用薄膜时，因为薄膜的强度比金属罐低，所以在从外部向二次电池施加压力时配置在由外包装体围绕的区域的集电体或设置在集电体表面上的活性物质层等有可能受到损伤。实现一种即使从外部向其施加外力时也有耐久性的二次电池。在二次电池中，在由外包装体围绕的区域设置缓冲材料。具体而言，在集电体的周边设置缓冲材料，以使外包装体(薄膜)的密封部位于在该缓冲材料的外侧。
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