公开(公告)号：CN104946147B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201510142546.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  B32B7/12 ,  H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、切割‑芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。

公开(公告)号：CN103794530B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201310499530.0

申请日：2013-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  柳雄一朗 ,  井上刚一

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及带隔片的切割/芯片接合薄膜。本发明提供容易从隔片上剥离切割/芯片接合薄膜的带隔片的切割/芯片接合薄膜。一种带隔片的切割/芯片接合薄膜，其通过将隔片、在俯视时的外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺序层叠而得到。

公开(公告)号：CN104946146A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510141488.4

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1-T2)为20％以下。

公开(公告)号：CN102002323B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201010270782.2

申请日：2010-08-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  天野康弘 ,  松村健 ,  村田修平

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01～100kcps。

公开(公告)号：CN102911618A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210361018.5

申请日：2008-10-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  松村健 ,  村田修平

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/8116 ,  C09J163/00 ,  C09J175/16 ,  C09J2201/606 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/1462 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10~30摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70~90摩尔%范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

公开(公告)号：CN101740351B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910224839.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  大竹宏尚 ,  松村健 ,  村田修平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C09J133/08 ,  B32B7/12

CPC classification number: B32B7/12 ,  B32B3/08 ,  B32B5/18 ,  B32B7/06 ,  B32B15/04 ,  B32B23/04 ,  B32B25/14 ,  B32B27/065 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/22 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B29/002 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/21 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/3065 ,  B32B2307/516 ,  B32B2307/518 ,  B32B2307/54 ,  B32B2457/14 ,  C08J2205/052 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2205/11 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明涉及切割模片接合膜以及半导体器件的生产方法。本发明涉及切割模片接合膜，其包括：具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜，和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜。所述切割膜的压敏粘合剂层为由包含丙烯酸类聚合物A和发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂形成的热膨胀性压敏粘合剂层。所述丙烯酸类聚合物A是由单体组合物构成的丙烯酸类聚合物，所述单体组合物包括50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中R为具有6至10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯，和1重量％至30重量％的含羟基单体，且不包括含羧基单体。所述热膨胀性压敏粘合剂层具有30mJ/m2以下的表面自由能。所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。

公开(公告)号：CN101855711A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115181.5

申请日：2008-10-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 ,  神谷克彦 ,  村田修平

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J133/066 ,  C08L63/00 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31511 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，粘合剂层包含使包含10～30摩尔％含羟基单体的丙烯酸类聚合物与相对于含羟基单体为70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应而得到的聚合物、及分子中具有两个以上对羟基显示反应性的官能团并且相对于所述聚合物100重量份含量为2～20重量份的交联剂，芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

公开(公告)号：CN101645425A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910161126.6

申请日：2009-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  松村健 ,  村田修平 ,  大竹宏尚

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  C09J133/04

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08F220/18 ,  C08F220/34 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/281 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性之间的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明提供一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH 2 ＝CHCOOR 1 (式中，R 1 为碳原子数6～10的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH 2 ＝CHCOOR 2 (式中，R 2 为碳原子数11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，并且，通过紫外线照射而固化，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在紫外线照射后的粘合剂层上。

公开(公告)号：CN1458703A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03123620.0

申请日：2003-05-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 萨摩道夫 ,  喜井敬介 ,  植谷庆裕 ,  岸井丰 ,  山口睦子 ,  村田修平

IPC: H01M2/14 ,  H01M2/16

CPC classification number: H01M2/1673 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/168 ,  H01M10/0525 ,  Y10T29/49108

Abstract: 公开了一种电池用的承载粘合剂组合物的隔板，其含有承载其上的可热交联粘合剂组合物的多孔基材，该粘合剂组合物含有多功能异氰酸酯和具有能与多功能异氰酸酯反应的功能基的反应性聚合物；一种电极/隔板层压品，其通过朝向电极挤压电池用的承载粘合剂组合物的隔板而制得；和一种具有交联粘合剂组合物的电极/隔板的粘合材料，其通过加热电极/隔板层压品从而使反应性聚合物反应以引起交联而制得。

公开(公告)号：CN1446848A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107688.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植谷庆裕 ,  村田修平 ,  喜井敬介

IPC: C08L33/04 ,  H01M10/02

CPC classification number: H01G9/038 ,  C08F220/36 ,  C08F222/22 ,  H01G9/028 ,  H01G11/56 ,  H01M6/181 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0565 ,  H01M2300/0085 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及高耐久性的均匀凝胶电解液及其用途，特别是采用这种凝胶电解液的电池或电容器。该凝胶电解液包括含有电解质盐、电解质盐的溶剂及聚合物基质的凝胶组合物，其中聚合物基质包括通过下面式(I)所示的双官能团(甲基)丙烯酸酯的聚合而制备的交联聚合物，式中R代表二价的有机基团，R1代表氢原子或甲基。