公开(公告)号：CN111095481A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880055784.4

申请日：2018-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本文所描述的实施方式总体上涉及在衬底上的三维(3D)结构的掺杂。在一些实施方式中，可以在所述3D结构上方沉积含保形掺杂物的膜。可掺入在膜中的合适的掺杂物包括卤素原子。之后，可以将所述膜退火以将所述掺杂物扩散到所述3D结构中。

公开(公告)号：CN110870044A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN110546753A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026884.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN110419093A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017633.X

申请日：2018-03-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  陈一宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括对所述图案化特征进行等离子体处理。所述方法进一步包括在所述图案化特征以及所述基板的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法进一步包括使用各向异性蚀刻处理选择性地从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面去除所述非晶硅层以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN110114853A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780079140.4

申请日：2017-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  江施施

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于形成保形的密封氮化硅膜的方法。所述方法包括：用聚硅烷气体使用热化学气相沉积以在基板上产生超保形非晶硅膜，随后用氨或氮等离子体处理所述膜以将所述非晶硅膜转化成保形的密封氮化硅。在一些实施方式中，所述非晶硅沉积和所述等离子体处理在相同的处理腔室中执行。在一些实施方式中，重复所述非晶硅沉积和所述等离子体处理直到达到所希望的氮化硅膜厚度。

公开(公告)号：CN119213884A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380040918.6

申请日：2023-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕夫洛普洛斯 ,  程睿 ,  赵庆华 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。交替的材料层可在基板上形成。一个或多个凹槽可在交替的材料层中形成。方法可包括形成第一含硅材料。第一含硅材料可延伸到在交替的材料层中形成的一个或多个凹槽中。方法可包括将含卤素前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含硅和卤素材料。含硅和卤素材料可覆于第一含硅材料上方。方法可包括形成第二含硅材料。第二含硅材料可覆于含硅和卤素材料上方。

公开(公告)号：CN117999640A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062413.5

申请日：2022-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵庆华 ,  程睿 ,  黄锐赟 ,  李铜衡 ,  A·爱丁 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料，含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物，这可使得缝隙或孔洞的大小减小。

公开(公告)号：CN110419093B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880017633.X

申请日：2018-03-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  陈一宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括对所述图案化特征进行等离子体处理。所述方法进一步包括在所述图案化特征以及所述基板的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法进一步包括使用各向异性蚀刻处理选择性地从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面去除所述非晶硅层以提供填充在由所述非晶硅层形成的

公开(公告)号：CN110431661B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880018782.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现特征之间的无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN116569311A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180063940.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  程睿 ,  克里希纳·尼塔拉 ,  李梦辉 ,  庄明元 ,  筱原奨 ,  郭娟 ,  杨夏万 ,  张振毅 ,  李子汇 ,  高嘉玲 ,  金曲 ,  王安川

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内设置的基板上沉积含硼材料或含硅和硼的材料。方法可包括用含氯前驱物蚀刻含硼材料或含硅和硼的材料的部分以在基板中形成一个或多个特征。方法亦可包括用含氟前驱物从基板移除含硼材料或含硅和硼的材料的剩余部分。