公开(公告)号：CN119836678A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063983.0

申请日：2023-07-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵庆华 ,  程睿 ,  D·帕夫洛普洛斯 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开案的实施例大体是关于用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和设备。在一个实施中，一种处理基板的方法包括将基板定位在腔室的处理空间中，以及将基板加热至为800摄氏度或更低的基板温度。方法包括将处理空间维持在1.0托至8.0托的范围内的压力下，以及使一种或更多种含硅气体和一种或更多种稀释气体流至处理空间中。方法包括使一种或更多种含硅气体反应以形成一种或更多种反应物，以及将一种或更多种反应物沉积至基板的暴露表面上以在暴露表面上形成一种或更多个含硅层。一个或更多个含硅层各自具有单晶结构。

公开(公告)号：CN119213884A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380040918.6

申请日：2023-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕夫洛普洛斯 ,  程睿 ,  赵庆华 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。交替的材料层可在基板上形成。一个或多个凹槽可在交替的材料层中形成。方法可包括形成第一含硅材料。第一含硅材料可延伸到在交替的材料层中形成的一个或多个凹槽中。方法可包括将含卤素前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含硅和卤素材料。含硅和卤素材料可覆于第一含硅材料上方。方法可包括形成第二含硅材料。第二含硅材料可覆于含硅和卤素材料上方。