公开(公告)号：CN111986975B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202010862237.6

申请日：2015-11-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  A·曹 ,  张景春 ,  李子汇 ,  张汉申 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。

公开(公告)号：CN117999862A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280064780.9

申请日：2022-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿文德·库玛 ,  马亨德拉·帕卡拉 ,  怡利·Y·叶 ,  约翰·托尔 ,  托马斯·基申海特尔 ,  王安川 ,  李子汇

IPC: H10B12/00

Abstract: 描述了使用3色处理降低3D DRAM装置中的晶片弯曲的方法。多个膜堆叠形成在基板表面上，每个膜堆叠包括两个经掺杂SiGe层及经掺杂硅层，两个经掺杂SiGe层具有不同的掺杂剂数量及/或Si:Ge比例。也描述了3D DRAM装置。

公开(公告)号：CN107004560B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201580064178.5

申请日：2015-11-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  A·曹 ,  张景春 ,  李子汇 ,  张汉申 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。

公开(公告)号：CN116569311A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180063940.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  程睿 ,  克里希纳·尼塔拉 ,  李梦辉 ,  庄明元 ,  筱原奨 ,  郭娟 ,  杨夏万 ,  张振毅 ,  李子汇 ,  高嘉玲 ,  金曲 ,  王安川

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内设置的基板上沉积含硼材料或含硅和硼的材料。方法可包括用含氯前驱物蚀刻含硼材料或含硅和硼的材料的部分以在基板中形成一个或多个特征。方法亦可包括用含氟前驱物从基板移除含硼材料或含硅和硼的材料的剩余部分。

公开(公告)号：CN107004560A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064178.5

申请日：2015-11-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  A·曹 ,  张景春 ,  李子汇 ,  张汉申 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

Abstract: 半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。

公开(公告)号：CN117642837A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280046471.9

申请日：2022-06-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·T·恩古耶 ,  K·D·沙茨 ,  A·N·恩古耶 ,  郑顺旭 ,  R·帕库斯基 ,  王安川 ,  李子汇

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理系统可包括处理腔室。所述系统可包括远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与处理腔室耦接。所述系统可包括适配器，所述适配器耦接于远程等离子体单元与处理腔室之间。所述适配器可由第一端和与第一端相对的第二端表征。所述远程等离子体单元可在第一端处与适配器耦接。所述适配器可界定第一中心通道，所述第一中心通道从所述适配器的第一端延伸至适配器的长度的大于50％。所述适配器可界定第二中心通道，所述第二中心通道从所述适配器的第二端延伸至适配器的长度的小于50％。所述适配器可界定第一中心通道与第二中心通道之间的过渡部。

公开(公告)号：CN111986975A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010862237.6

申请日：2015-11-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  A·曹 ,  张景春 ,  李子汇 ,  张汉申 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。