公开(公告)号：CN116569311A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180063940.3

申请日：2021-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  程睿 ,  克里希纳·尼塔拉 ,  李梦辉 ,  庄明元 ,  筱原奨 ,  郭娟 ,  杨夏万 ,  张振毅 ,  李子汇 ,  高嘉玲 ,  金曲 ,  王安川

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内设置的基板上沉积含硼材料或含硅和硼的材料。方法可包括用含氯前驱物蚀刻含硼材料或含硅和硼的材料的部分以在基板中形成一个或多个特征。方法亦可包括用含氟前驱物从基板移除含硼材料或含硅和硼的材料的剩余部分。