用于波导同轴转换的绝缘子组件焊接工装及其焊接方法

    公开(公告)号:CN107262863B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201710494508.5

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于波导同轴转换的绝缘子组件焊接工装及其焊接方法,包括底座和用于固定绝缘子的固定结构,其特征是,所述固定结构主要包括固定柱、托板以及绝缘子扣盖,所述底座上设有若干凹槽,该底座两边各设有一所述固定柱,所述固定柱上标有刻度线,两个所述固定柱之间连接一可上下移动的水平托板。优点:该焊接工装,在绝缘子内导体对准金属套筒内孔后,通过移动托板至合适刻度线位置,来调节绝缘子内导体长端插入金属套筒的长度,精确定位金属套筒焊接在绝缘子内导体上的位置,使制作出的绝缘子组件整体长度精确,并且,还能实现金属套筒和绝缘子同轴焊接,不偏不歪;本发明焊接方法简单、易操作、科学实用,能大批量生产。

    一种前级放大器模块的制作方法

    公开(公告)号:CN109769390A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201910193902.4

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 本发明公开了一种前级放大器模块的制作方法,包括如下步骤:步骤1):结构件装配前清洗,本步骤完成对壳体、盖板结构件进行清洗;步骤2):射频电路板的装配,本步骤完成射频电路板的烧结;步骤3):射频电路元器件和绝缘子的装配,射频电路元器件以及绝缘子的焊接;步骤4):电装,1)完成隔离器、放大器、滤波器和SMA接头的装配;2)分别完成隔离器引脚、放大器引脚以及滤波器引脚与微带线的手工焊接,SMA接头与微带线的焊接、绝缘子与微带线的焊接;步骤5):封盖,本步骤完成盖板的安装。本发明这种前级功率放大器模块的制作方法,可方便高效的进行生产制造,满足生产需求,具有较好的应用前景。

    频段前级放大器模块制作方法

    公开(公告)号:CN109688787A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811502292.3

    申请日:2018-12-10

    CPC classification number: H05K13/04

    Abstract: 本发明公开了一种频段前级放大器模块制作方法,该频段前级放大器模块制作方法包括:步骤1,将前级微波板和射频绝缘子分别与腔体进行烧接得到部件A;步骤2,将元器件和馈电绝缘子烧结到部件A上得到部件B;步骤3,将部件B中的元器件分别进行焊接;步骤4,制作多个共晶组件和挡板组件;步骤5,将环形器U1、多个共晶组件和挡板组件安装到腔体的内部;步骤6,将盖板封盖在腔体上以进行密封。该频段前级放大器模块制作方法的产品制作工艺更加科学实用。

    建立ROGERS板与壳体焊接回流焊温度曲线的方法

    公开(公告)号:CN109332841A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811566955.8

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种建立ROGERS板与壳体焊接回流焊温度曲线的方法,包括以下步骤:一、压块设计;二、热电偶的放置位置;三、施加压力;四、摸索回流焊曲线;五、验证。采用上述技术方案,从压块设计、热电偶放置位置、施加压力等方面分析对温度曲线的影响,总结出具体方法,通过该方法摸索出的回流焊工艺参数,使得ROGERS板与腔体焊接焊透率能达到90%以上;其方法科学合理,根据该方法能快速找出的回流焊温度曲线,为模块找出合适的回流焊温度曲线提供参考。

    一种二倍频器的工艺制作方法

    公开(公告)号:CN106100587B

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201610458974.3

    申请日:2016-06-23

    Abstract: 一种二倍频器的工艺制作方法,包括以下步骤:步骤1:倍频电路板的制作;步骤2:腔体清洗;步骤3:电性能调试;步骤4:腔体安装;步骤5:电性能复测、商标打印,产品制作完成。此制作工艺采用手工焊接和粘接工序,流程简单,设备投资小,制作工艺的稳定性和质量一致性高,适用批量生产。

    半导体集成电路双电压比较器模块制作方法

    公开(公告)号:CN105609427B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201510974623.3

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: H01L2224/48247 H01L2924/19107

    Abstract: 本发明公开半导体集成电路双电压比较器模块制作方法,包括:焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3),并在外壳(1)上烧结固定引线管柱,并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金;制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座,所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层;清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3);将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上;在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶,并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上;将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。本发明实现了量化生产电压比较器的目的。

    共晶芯片组件的烧结方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107731695A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711076799.2

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法,所述烧结方法包括:初步安装:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊料片放置在腔体内,在每个焊料片表面涂覆助焊剂,将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件;烧结处理:将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理;解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长,合金焊料易氧化,最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

    X波段中功率连脉冲放大器的加工方法

    公开(公告)号:CN107708400A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201710777766.4

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: H05K13/0465

    Abstract: 本发明涉及微波中功率脉冲放大器技术领域,公开X波段中功率连脉冲放大器的加工方法,包括:步骤1,低频电路板烧结,步骤2,高频电路板烧结,步骤3,元器件烧结,步骤4,装配,步骤5,芯片共晶,步骤6,金丝键合,步骤7,封盖,对F进行封盖处理,得到X波段中功率连脉冲放大器。该涉及X波段中功率连脉冲放大器的加工方法可以实现体积小、安装灵活、可靠性高的目的。

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