半导体集成电路双电压比较器模块制作方法

    公开(公告)号:CN105609427A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510974623.3

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: H01L2224/48247 H01L2924/19107 H01L21/50 H01L24/83

    Abstract: 本发明公开半导体集成电路双电压比较器模块制作方法,包括:焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3),并在外壳(1)上烧结固定引线管柱,并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金;制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座,所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层;清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3);将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上;在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶,并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上;将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。本发明实现了量化生产电压比较器的目的。

    交流小信号转换直流信号的装置

    公开(公告)号:CN110677150B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201910823373.1

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种交流小信号转换直流信号的装置,包括待测信号Vint、第一模块、第二模块、第三模块、电源模块和输出单元;其中,待测信号的输出端口与第一模块输入端口连接,第二模块的输出端口与第三模块连接,电源模块分别与第一模块和第二模块以及第三模块其中的一个输入端口连接,第三模块的输出端口与输出单元连接。该装置实现精度高、受环境影响小、噪声水平低、增益转换大,能够有效控制静态电流、有效控制频率偏差以及满度纹波;同时,输出方波信号高低电平、上升沿以及下降沿时间均控制在有效范围内。

    Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺

    公开(公告)号:CN107612510B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201710777772.X

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 本发明公开了Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺,包括:步骤1,清洗放大器前级放大模块腔体、盖板和电路板;步骤2,对盖板和放大器前级放大模块腔体进行覆锡;步骤3,将元器件烧结电路板上;步骤4,将电路板和绝缘子烧结到放大器前级放大模块腔体上;步骤5,对烧结完成后的组件进行调试和测试。该制作工艺克服现有技术中的Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺不够科学、简便,经常出现性能指标完全达不到整机要求,而且生产效率和合格率低,生产成本高的问题。

    一种Ku波段一分三功分器的制作工艺

    公开(公告)号:CN108039553A

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201711392153.5

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域,提供了一种Ku波段一分三分器的制作工艺,包括如下步骤:制作共晶组件,包括:芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2;气相清洗腔体、电路板及绝缘子;将共晶组件1、片电阻及衰减器芯片件烧结到电路板上;将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2及绝缘子的一端烧结到腔体上将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板;对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合;对金丝键合后的组件进行测试及调试,测试合格后,进行封盖、打标。该Ku波段一分三功分器的工艺流程简单、方便、科学,提高了产品的合格率,提高了车间生产的效率,降低了整机产品调试的难度。

    提高芯片充分接地和散热的焊接方法

    公开(公告)号:CN107708328A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201710497802.1

    申请日:2017-06-27

    CPC classification number: H05K3/3457 H05K2203/04

    Abstract: 本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤SS1:制备锡球;步骤SS2:向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球;步骤SS3:加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本发明跟现有工艺比较,增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球,然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序,使焊盘接地孔中充满焊锡,来实现芯片背面充分接地,并且保证了芯片充分散热,提高了芯片焊接质量。

    一种扁平镀金引线手工焊接的方法

    公开(公告)号:CN107350585A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710491525.3

    申请日:2017-06-26

    CPC classification number: B23K1/0016 B23K1/203 B23K1/206 B23K2101/36

    Abstract: 本发明公开了一种扁平镀金引线手工焊接的方法,步骤一、扁平镀金引线去金、搪锡;步骤二、Rogers微带板去金、搪锡;步骤三、清洗;步骤四、用电烙铁加热融熔焊锡丝将去金、搪锡后的镀金引线手工焊接在去金、搪锡后的Rogers微带板焊接区域;步骤五、手工焊接完成后,进行汽相清洗。本发明其优点在于,在镀金引线焊接在Rogers微带板上之前,预先将扁平镀金引线和Rogers微带板焊接区域去金、搪锡,改善了扁平镀金引线和Rogers微带板的焊锡附着力,提高了焊锡的浸润性,为后续的焊接提供了最优环境,增强了焊接强度;另外,本发明采用的搪锡方法,对去金效果好,本发明操作简单、实用性强,值得推广。

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