一种激励信号模块加工方法

    公开(公告)号:CN110856373A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911151816.3

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种激励信号模块加工方法,其特征在于:制作过程主要包括:步骤1)多个绝缘子以及射频电路板与腔体钎焊;步骤2)元器件烧结;步骤3)第一次清洗;步骤4)电装焊接;步骤5)第二次清洗,6)封盖、刷三防漆。本发明这种激励信号模块加工方法,产品制作工艺更加科学实用,产品合格率提高,为批量化生产提供了有力保障,制作工艺流程简单,适用大批量生产,具有较好的应用前景。

    Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺

    公开(公告)号:CN107612510B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201710777772.X

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 本发明公开了Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺,包括:步骤1,清洗放大器前级放大模块腔体、盖板和电路板;步骤2,对盖板和放大器前级放大模块腔体进行覆锡;步骤3,将元器件烧结电路板上;步骤4,将电路板和绝缘子烧结到放大器前级放大模块腔体上;步骤5,对烧结完成后的组件进行调试和测试。该制作工艺克服现有技术中的Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺不够科学、简便,经常出现性能指标完全达不到整机要求,而且生产效率和合格率低,生产成本高的问题。

    一种Ku波段一分三功分器的制作工艺

    公开(公告)号:CN108039553A

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201711392153.5

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域,提供了一种Ku波段一分三分器的制作工艺,包括如下步骤:制作共晶组件,包括:芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2;气相清洗腔体、电路板及绝缘子;将共晶组件1、片电阻及衰减器芯片件烧结到电路板上;将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2及绝缘子的一端烧结到腔体上将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板;对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合;对金丝键合后的组件进行测试及调试,测试合格后,进行封盖、打标。该Ku波段一分三功分器的工艺流程简单、方便、科学,提高了产品的合格率,提高了车间生产的效率,降低了整机产品调试的难度。

    提高芯片充分接地和散热的焊接方法

    公开(公告)号:CN107708328A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201710497802.1

    申请日:2017-06-27

    CPC classification number: H05K3/3457 H05K2203/04

    Abstract: 本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤SS1:制备锡球;步骤SS2:向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球;步骤SS3:加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本发明跟现有工艺比较,增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球,然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序,使焊盘接地孔中充满焊锡,来实现芯片背面充分接地,并且保证了芯片充分散热,提高了芯片焊接质量。

    EMI恒流电源滤波模块及其制备方法

    公开(公告)号:CN105458541A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510968131.3

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: B23K31/02 B23K2101/36 H02M1/44

    Abstract: 本发明公开了一种EMI恒流电源滤波模块及其制备方法,包括:将元器件焊接于滤波电路基板的正面上制得滤波电路板;将外壳和盖板进行预热,将外壳与盖板的配合处进行敷锡处理;将滤波电路板、敷锡处理后的外壳和盖板于乙醇中进行清洗、进行烘烤处理;将硅橡胶组合物涂覆于滤波电路板的背面,进行烘干处理;将烘干处理后的滤波电路板进行预热,接着将预热后的滤波电路板通过焊盘焊接于外壳上,将引线焊接于滤波电路板上;将硅橡胶组合物灌注至外壳的内腔中,进行固化处理;将固化处理的外壳进行预热,将外壳与盖板的缝隙处进行加热,将盖板焊接于外壳上以制得EMI恒流电源滤波模块。该EMI恒流电源滤波模块具有优异的滤波效果。

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