一种功放模块的制作工艺

    公开(公告)号:CN110167284A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910565350.5

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明提供了一种功放模块的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、印制板、玻珠与壳体焊接,得到第一组件;步骤2、将玻珠分别和对应的薄膜电路板和印刷电路板焊接,得到第二组件;步骤3、将薄膜电路板、功放芯片组件焊接到第二组件壳体内,得到第三组件;步骤4、将元器件胶结到第三组件壳体内,得到第四组件;步骤5、对第四组件进行金丝、金带压焊键合;步骤6、封盖,完成模块盖板装配。此工艺生产制作的功放模块,经过测试、环境试验以及整机现场调试,各项技术性能指标完全达到整机要求,生产此模块的工艺流程科学、简单,焊接效果较好,生产的产品合格率较之前有较大的提高,设备投资小,降低了生产成本,适用小批量生产。

    用于波导同轴转换的绝缘子组件焊接工装及其焊接方法

    公开(公告)号:CN107262863B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201710494508.5

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于波导同轴转换的绝缘子组件焊接工装及其焊接方法,包括底座和用于固定绝缘子的固定结构,其特征是,所述固定结构主要包括固定柱、托板以及绝缘子扣盖,所述底座上设有若干凹槽,该底座两边各设有一所述固定柱,所述固定柱上标有刻度线,两个所述固定柱之间连接一可上下移动的水平托板。优点:该焊接工装,在绝缘子内导体对准金属套筒内孔后,通过移动托板至合适刻度线位置,来调节绝缘子内导体长端插入金属套筒的长度,精确定位金属套筒焊接在绝缘子内导体上的位置,使制作出的绝缘子组件整体长度精确,并且,还能实现金属套筒和绝缘子同轴焊接,不偏不歪;本发明焊接方法简单、易操作、科学实用,能大批量生产。

    一种卫通领域35W功率放大模块的加工方法

    公开(公告)号:CN109451677A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811509578.4

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明提供了一种卫通领域35W功率放大模块的加工方法,包括微波电路板和放大器模块,包括以下步骤:S1:将微波电路板烧结到焊片上;S2:将功放芯片U1共晶到相应的钼铜载体上,形成功放共晶组件G1;S3:将功放共晶组件G1和电容烧结到微波电路板上;S4:利用气相清洗机清洗烧结后的微波电路板;S5:对功放芯片U1和电容进行金丝键合;S6:对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明借助微电子组封装工艺技术,实现了卫通领域35瓦功率放大模块的制作,该卫通领域35瓦功率放大模块具有体积小、安装灵活、可靠性高的特点,适合小批量生产。

    卫星通讯领域6位数控衰减模块的制作方法

    公开(公告)号:CN109037881A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811079261.1

    申请日:2018-09-13

    CPC classification number: H01P11/00

    Abstract: 本发明适用于数控衰减器模块制备技术领域,提供了一种卫星通讯领域6位数控衰减模块的制作方法,方法包括如下步骤:S1、将高频电路板烧结到腔体底部;S2、在高频电路板上烧结元器件;S3、将腔体顶部朝下进行清洗;S4、装配射频接头及腔体盖板。该制作方法借助微电子组封装工艺技术,实现了一种卫星通信领域6位数控衰减器模块制作,制备的卫星通信领域6位数控衰减器模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、衰减精度高等的特点,且适合大批量生产。

    一种Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工艺

    公开(公告)号:CN108111128A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711360283.0

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明适用于微波功率放大器加工工艺技术领域,提供了一种Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工艺,包括如下步骤:方法包括如下步骤:S1、将RT/duroid6035HTC微波电路板烧结到腔体上;S2、将电阻及电容组件烧结到所述RT/duroid6035HTC微波电路板上;S3、将放大器烧结到腔体上;S4、将腔体滤波器烧结到腔体上;S5、对烧结完成的组件进行调试、测试;S6、测试合格,进行盖板封装、激光打标。工艺流程操作性强,经过此工艺生产的Ku波段60瓦小型化功率放大器模块经过严格的测试、筛选实验以及模块调试,各项技术性能指标完全达到模块要求,生产的产品合格率高,提高了生产效率和节约了生产成本。

    共晶芯片组件的烧结方法

    公开(公告)号:CN107731695A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711076799.2

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法,所述烧结方法包括:初步安装:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊料片放置在腔体内,在每个焊料片表面涂覆助焊剂,将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件;烧结处理:将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理;解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长,合金焊料易氧化,最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

    S波段频率综合器的制备方法

    公开(公告)号:CN107271976A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710474371.7

    申请日:2017-06-21

    CPC classification number: G01S7/4004

    Abstract: 本发明公开了一种S波段频率综合器的制备方法,制备方法包括:1)将多个射频电路板各自通过焊片安装在多个垫块上,制得多个射频电路板组件;2)安装电子元件后,形成控制电路板套件、直流馈电电路板套件和多个射频电路板套件;3)在腔体中安装馈电绝缘子和射频绝缘子;4)将控制电路板套件、直流馈电电路板套件和多个射频电路板套件各自可拆卸地安装在腔体中;5)将馈电绝缘子与多个射频电路套件的焊盘各自连接,将馈电绝缘子与直流馈电电路板套件的焊盘连接,将射频绝缘子与其中一个射频电路套件连接,将控制电路板套件与多个射频电路板套件之间通过导线连接,将直流馈电电路板套件和多个射频电路板套件之间通过导线连接;6)将盖体盖合腔体,制得S波段频率综合器。

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