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公开(公告)号:CN118232945A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410319383.2
申请日:2024-03-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种W频段收发组件,包括:频率源单元、发射单元和接收下变频单元,所述频率源单元用于接收参考信号,并输出X频段扫频源信号至所述发射单元,所述发射单元用于将输入的X频段扫频源信号转换为W频段信号输出至接收下变频单元,所述接收下变频单元用于将接收的W频段信号转换为中频信号输出。该组件在使用时,克服现有技术中的W频段收发组件存在频段低、传输数据速率较低且不稳定、探测距离较近问题。
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公开(公告)号:CN111988913A
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202010772875.9
申请日:2020-08-04
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段功放驱动级模块制作方法,包括步骤:S1、将微波电路板与壳体进行焊接,得到第一组件;S2、将元器件、射频绝缘子和馈电绝缘子与第一组件进行焊接,得到第二组件;S3、将放大器芯片与第二组件进行焊接,得到第三组件;S4、在第三组件上焊接导线,得到第四组件;S5、对第四组件进行清洗;S6、电装焊接;S7、封盖。本发明的Ku波段功放驱动级模块制作方法,制作工艺科学合理,步骤简单明了,易操作,无需精密生产设备投入就可大批量生产,性能稳定,可靠性好,提高产品质量。
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公开(公告)号:CN107612510B
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201710777772.X
申请日:2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺,包括:步骤1,清洗放大器前级放大模块腔体、盖板和电路板;步骤2,对盖板和放大器前级放大模块腔体进行覆锡;步骤3,将元器件烧结电路板上;步骤4,将电路板和绝缘子烧结到放大器前级放大模块腔体上;步骤5,对烧结完成后的组件进行调试和测试。该制作工艺克服现有技术中的Ku波段40瓦功率放大器前级放大模块的制作工艺不够科学、简便,经常出现性能指标完全达不到整机要求,而且生产效率和合格率低,生产成本高的问题。
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公开(公告)号:CN110290692A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910565356.2
申请日:2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供了一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、将射频电路板烧结到腔体内;步骤2、功率放大芯片共晶,并将共晶后的功率放大芯片烧结到腔体内;步骤3、将阻容器件胶结到射频电路板上;步骤4、金丝键合;步骤5、将测试好的组件封盖。本发明设计合理,借助微电子组封装工艺技术,进行X波段10瓦功率放大模块的制作,制作出来的X波段10瓦功率放大模块经过环境试验完全达到技术指标要求,同时具有重量轻、指标优异、功耗小、增益大、体积小、可靠性高的特点,工艺流程简便、科学,提高了产品的合格率以及车间的生产效率,适合大批量生产。
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公开(公告)号:CN109743029A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201811557764.5
申请日:2018-12-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓功率放大器功率增益非线性的预失真电路,包括:砷化镓驱动功率放大器、微带定向耦合器、射频模拟衰减器、氮化镓高功率放大器、隔离滤波器、功率检波温补电路、射频功率检波电路、差分运算放大器和射随器;砷化镓驱动功率放大器、微带定向耦合器、射频模拟衰减器、氮化镓高功率放大器和隔离滤波器依次相连,构成射频微波发射链路;微带定向耦合器还与射频功率检波电路、差分运算放大器以及射随器,且射随器与射频模拟衰减器相连,从而构成氮化镓功率放大器功率增益校正链路。该预失真电路克服现有技术中的氮化镓功率放大器具有功率增益非线性特性,很难满足客户要求的功率增益线性度要求的问题。
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公开(公告)号:CN109347450A
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201811069325.X
申请日:2018-09-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明适用于功率放大器制备技术领域,提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法,包括如下步骤:将微波电路板烧结到主腔体的底部;将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶,将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置;在微波电路板上胶结电阻及电容;将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合;将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术,实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法,获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。
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公开(公告)号:CN108768304A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810613494.9
申请日:2018-06-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上;步骤2、将元器件烧结到电路板上;步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上;步骤4、金丝键合;步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试,各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便,生产的产品合格率较之前有较大的提高,降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
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公开(公告)号:CN108092632A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711352984.X
申请日:2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域,提供了一种X波段3瓦功率放大器的制作工艺,该工艺包括如下步骤:S1、将Rogers5880电路板烧结到腔体上的对应位置;S2、将阻容器件烧结到Rogers5880电路板上;S3、将功放管烧结到腔体上;S4、将隔离器安装到腔体上;S5、烧结电源模块电路板并安装到腔体上;S6、电源模块电路板安装完毕后,进行调试和测试,对测试合格的产品进行封盖;上述生产工艺流程科学、便于操作,且经过上述工艺生产的X波段30瓦功率放大器经过严格的测试、环境实验以及整机现场调试,各项技术性能指标完全达到整机要求,生产的产品合格率高,提高了生产效率,节约了生产成本。并已实现大批量多批次供货。
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公开(公告)号:CN108039553A
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201711392153.5
申请日:2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域,提供了一种Ku波段一分三分器的制作工艺,包括如下步骤:制作共晶组件,包括:芯片电容及放大器芯片与钼铜载体形成的共晶组件1、及砷化镓电阻与钼铜载体形成的共晶组件2;气相清洗腔体、电路板及绝缘子;将共晶组件1、片电阻及衰减器芯片件烧结到电路板上;将电路板、钼铜载体接地块、共晶组件2及绝缘子的一端烧结到腔体上将片电容及绝缘子的另一端烧结到电路板;对共晶组件1和共晶组件2进行金丝键合;对金丝键合后的组件进行测试及调试,测试合格后,进行封盖、打标。该Ku波段一分三功分器的工艺流程简单、方便、科学,提高了产品的合格率,提高了车间生产的效率,降低了整机产品调试的难度。
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公开(公告)号:CN119766168A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411788999.0
申请日:2024-12-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了Ka波段20W固态功率放大器及其生产工艺,固态功率放大器包括Ka前级电路模块、Ka20W末级电路模块以及Ka供电模块;Ka前级电路模块包括输入功率检波器、温补衰减器、放大器,其输出功率大于5W;Ka20W末级电路模块由四只8瓦氮化镓芯片进行空间功率合成;Ka供电模块为Ka前级电路模块、Ka20W末级电路模块提供供电电压。采用上述技术方案,其模块的微波指标优异;采用E‑T空间功率合成技术,具有合成效率高等特点;采用氮化镓有源单卡微波指标测试进行相位匹配技术,提高合成效率;采用优选的工艺方案,满足性能指标的产品有利于批量生产;具有高增益、高功率、稳定可靠的优异性能。
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