公开(公告)号：CN115023818A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180010280.2

申请日：2021-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  B·瓦卡斯尔 ,  D·法莫

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: 提供了关于包括硅基约瑟夫森结的量子比特器件和/或包括硅基约瑟夫森结的量子比特器件的制造的技术。例如，本文描述的一个或多个实施例可以包括一种装置，所述装置可以包括约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括位于两个垂直堆叠的超导硅电极之间的隧道势垒。

公开(公告)号：CN114747034A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H01L45/00

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

公开(公告)号：CN111295132A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071187.0

申请日：2018-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  李宁 ,  李克涛 ,  D·萨达纳 ,  R·虞

IPC: A61B5/00

Abstract: 描述了用于使用探针和探针控制器来实现光遗传学治疗的技术方案。探针控制器控制探针以执行如下方法，该方法包括由探针的光源来发射光波以与组织中的一个或多个细胞中的对应化学物质相互作用。该探针能够嵌入该组织中。该方法还包括通过探针的传感器采集与对应化学物质相互作用的光波的光谱。该方法还包括由探针将光谱发送给分析系统。该方法还包括由探针从分析系统接收用于光源的经调整的参数，并且由探针的控制器根据所接收的经调整的参数来调整光源的设置以发射不同的光波来与对应的化学物质相互作用。

公开(公告)号：CN111279531A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880068687.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·德萨扎 ,  李允锡 ,  D·萨达纳

IPC: H01M4/66

Abstract: 提供一种具有快速充电速度和高容量的固态可再充电电池。在一些实施例中，所述固态可再充电电池至少包括由阴极材料构成的阴极材料层，所述阴极材料包含晶粒尺寸小于100nm且晶界密度为5C或更大的晶粒。在其它实施例中，阴极材料层由具有柱状微结构的阴极材料构成。

公开(公告)号：CN111133624A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062514.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李允锡 ,  S·博德尔 ,  J·P·德萨扎 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/04

Abstract: 提供了高容量(即，容量为50mAh/gm或更大)和高性能可再充电电池，其包含可再充电电池堆，该可再充电电池堆包括剥落的材料结构，该剥落的材料结构包括附接到应力源材料上的阴极材料层。阴极材料可包括不含聚合物粘合剂的单晶。压力源材料用作可再充电电池堆的阴极集电器。

公开(公告)号：CN102834934B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180005695.7

申请日：2011-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  N·E·索萨·柯蒂斯 ,  D·萨达纳 ,  D·沙赫尔耶迪 ,  B·A·瓦卡塞尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。

公开(公告)号：CN102428577B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080021165.7

申请日：2010-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  N·索萨·科尔茨 ,  K·E·福格尔 ,  D·萨达纳 ,  G·沙希迪 ,  D·沙尔耶迪

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本发明还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。

公开(公告)号：CN102428569A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021163.8

申请日：2010-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  N·索萨·考特斯 ,  K·E·佛格尔 ,  D·萨达纳 ,  K·L·萨恩格 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法包括：在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；将柔性衬底粘附到所述金属层；及在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。