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公开(公告)号：CN105895668A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610081031.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0649 , H01L29/0895 , H01L29/267 , H01L29/66219 , H01L29/66522 , H01L29/66613 , H01L29/66643 , H01L29/66969 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/0638 , H01L29/66136
Abstract: 本发明涉及用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质。半导体装置包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III?V材料的p掺杂层。在p掺杂层上形成电介质中间层。在电介质中间层上形成n型层，n型层包括高带隙II?VI材料以形成电子装置。
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公开(公告)号：CN105895668B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610081031.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及用于降低半导体装置中的泄漏电流的结层间电介质。半导体装置包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III‑V材料的p掺杂层。在p掺杂层上形成电介质中间层。在电介质中间层上形成n型层，n型层包括高带隙II‑VI材料以形成电子装置。
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公开(公告)号：CN102834934B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180005695.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/548
Abstract: 一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。
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公开(公告)号：CN102834934A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180005695.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/548
Abstract: 一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。
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