公开(公告)号：CN101785095B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101208641B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200680023200.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  斋藤雅仁 ,  日野昭一 ,  岛津强 ,  三浦和幸 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  土肥亮介 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/00 ,  G01F1/42 ,  G01F1/00 ,  G01F7/00

CPC classification number: G05D7/0641 ,  G01F1/363 ,  G01F1/6842 ,  G01F1/6847 ,  G01F5/005 ,  G01F7/005 ,  G05D7/0635 ,  G05D7/0647 ,  G05D23/1927 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/8593 ,  Y10T137/86734 ,  Y10T137/86815 ,  Y10T137/87265 ,  Y10T137/87314 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87499 ,  Y10T137/87684

Abstract: 本发明涉及一种流量范围可变型流量控制装置，通过一台流量控制装置也能对较广的流量区域的流体进行高精度的流量控制，从而可实现流量控制装置的小型化和设备费用的降低。具体而言，在使用节流孔上游侧压力P1以及或者节流孔下游侧压力P2而以Qc＝KP1(K为比例常数)或者Qc＝KP2m(P1-P2)n(K为比例常数、m和n为常数)运算在节流孔(8)中流通的流体的流量的压力式流量控制装置中，将该压力式流量控制装置的控制阀的下游侧与流体供给用管路之间的流体通路设置为至少两个以上的并列状的流体通路，并且向上述各并列状的流体通路分别设置流体流量特性不同的节流孔，在小流量区域的流体的流量控制时使上述小流量区域的流体向一方的节流孔流通，此外，在大流量区域的流体的流量控制时使上述大流量区域的流体向另一方的节流孔切换并流通。

公开(公告)号：CN102575341A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045493.0

申请日：2010-10-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01L21/365 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明的课题为稳定地形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。在本发明中，通过将含氧和氮的气体以及氮气与有机金属系材料气体一起供给至由微波激发的低电子温度高密度等离子体中，在作为成膜对象物的基板上形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。

公开(公告)号：CN101796615B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。

公开(公告)号：CN102160152A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137204.7

申请日：2009-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松冈孝明 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/04

Abstract: 在大马士革制程中在对被堆积于由有机系的low-k膜构成的层间绝缘膜上的铜进行研磨时，CMP装置可以防止发生划痕或凹陷。在该CMP装置中，使粘贴了研磨垫(12)的旋转头(10)的旋转中心轴与将半导体晶片(100)面朝上安装的旋转台(14)的旋转中心轴在同一垂直线(N)上对齐，并一边使旋转头(10)及旋转台(14)向相同方向旋转，一边使旋转头(10)下降，从而使研磨垫(12)与旋转台(14)上的半导体晶片(100)抵接，使得研磨垫(12)在半导体晶片(100)表面的整个区域中不向相反方向摩擦。

公开(公告)号：CN102057760A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121282.8

申请日：2009-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 本发明提供一种具有特性阻抗在输入侧与输出侧不同的同轴管构造的等离子体处理装置。利用电磁波激发气体来对基板进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(10)，具备：处理容器(100)；输出微波的微波源(900)；第1同轴管(610)，被用于传输从微波源(900)输出的微波；以及介电体板(305)，其以面向处理容器(100)的内侧的状态与第1同轴管(610)邻接，用于将沿第1同轴管(610)传输来的微波释放到处理容器(100)的内部。具有第1同轴管(610)的内部导体(610a)与外部导体(610b)的粗细之比沿长度方向上不一致的构造。

公开(公告)号：CN101519774B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910005391.5

申请日：2009-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 本乡俊明 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/511 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。

公开(公告)号：CN101952974A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105047.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。

公开(公告)号：CN101652499A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011109.8

申请日：2008-04-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。

公开(公告)号：CN101636521A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008619.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。