-
公开(公告)号：CN111261646A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911203263.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN110021521A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811447838.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
-
公开(公告)号：CN106158891B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510765521.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。
-
公开(公告)号：CN109786401A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810332156.8
申请日：2018-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14607 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L31/036
Abstract: 一种半导体元件，操作来感测入射光且包含载体、元件层、以及半导体层。元件层设于载体上。半导体层设于元件层上。半导体层包含数个感光区。半导体层具有第一表面与相对于第一表面的第二表面，第一表面邻近于元件层。第二表面具有晶格面，此晶格面相对基面倾斜，且半导体层具有数个凹陷部排列在第二表面上。
-
公开(公告)号：CN109728007A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810371930.6
申请日：2018-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其包括半导体衬底、多个滤色器、多个第一透镜和第二透镜。半导体衬底包括排列成阵列的多个传感像素，每一所述多个传感像素分别包括多个图像传感单元和多个相位检测单元。滤色器至少覆盖所述多个图像传感单元。第一透镜设置在所述多个滤色器上。多个第一透镜中的每一个分别覆盖多个图像传感单元中的一个。第二透镜设置在多个滤色器上，且第二透镜覆盖多个相位检测单元上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427835A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810996626.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的一些方面涉及一种图像传感器，包括具有前侧和背侧的半导体衬底。在位于前侧和后侧之间的半导体衬底中布置光电检测器。在半导体衬底的前侧下方布置互连结构，使得在互连结构和半导体衬底的背侧之间布置半导体衬底的前侧。下部环状结构延伸到半导体衬底的背侧中并横向地围绕光电检测器。通过下部环状结构围绕的光栅结构从衬底的背侧延伸至光电检测器内的位置。本发明的实施例还提供了一种图像传感器的形成方法。
-
公开(公告)号：CN109427831A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224959.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。
-
公开(公告)号：CN105742376B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510769977.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L27/14812 , H01L2224/24147 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/92 , H01L2224/9212 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/821
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括第一衬底、第二衬底、多个通孔(TV)和多个导电帽。第一衬底具有设置在其上的至少一个电组件。第二衬底堆叠在第一衬底上。TV延伸穿过第二衬底以电连接至第一衬底的至少一个电组件。导电帽分别覆盖TV，以及导电帽彼此电隔离。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN106653782A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610907196.1
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器结构包括衬底和像素部分。每一个像素部分都包括交叉区域、边界区域和中心区域，其中，每一个边界区域都位于多个交叉区域中的任两个相邻的交叉区域之间，并且中心区域被交叉区域和边界区域围绕。每一个像素部分都包括器件层、抗反射涂层、分立的反射结构、分立的金属阻挡结构、钝化层和滤色器。器件层设置在衬底上。沟槽形成在器件层和衬底中以分别对应于边界区域。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构设置在沟槽中。在交叉区域中，金属阻挡结构位于抗反射涂层上面。钝化层共形地覆盖金属阻挡结构。滤色器设置在钝化层上。本发明还提供了CMOS图像传感器结构的制造方法。
-
公开(公告)号：CN106129073A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610160516.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种在衬底上形成高介电常数(高k)介电层的方法包括：对衬底的表面实施预清洗工艺。向表面引入氯前体。向表面引入氧化剂以在衬底上形成高k介电层。该高k介电层的氯浓度低于约8原子/立方厘米。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
110
records
(took 0.035 seconds)
