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公开(公告)号：CN110957332A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910089350.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/16 , H01L23/66 , H01L23/58
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片。该三维集成芯片包括第一集成芯片(IC)管芯和第二IC管芯。第一IC管芯具有第一图像传感器元件，该第一图像传感器元件配置为从第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二IC管芯具有第二图像传感器元件，该第二图像传感器元件配置为从不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射产生电信号。第一带通滤波器布置在第一IC管芯和第二IC管芯之间，并配置为反射第一波长范围内的电磁辐射。本发明的实施例还涉及用于堆叠传感器的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN109728018A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811284627.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构，且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。
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公开(公告)号：CN109728011A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811139872.0
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方。所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。
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公开(公告)号：CN109728008A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810684932.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种背面照光式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其安置于所述衬底中；隔离结构，其包围所述像素传感器且安置于所述衬底中；介电层，其安置于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；及多个导电结构，其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。
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公开(公告)号：CN109560093A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810763436.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体图像传感器。本发明实施例揭露一种背照式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；及多个像素传感器，其布置成阵列。所述像素传感器中的每一个包括：感光装置，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述感光装置上方；及光学结构，其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。所述光学结构包括第一侧壁，且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107293560A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710063231.0
申请日：2017-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , G03B13/36 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H04N5/3696 , H04N5/374 , H04N5/37457 , H01L27/14605 , H01L27/14643
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有自动聚焦功能的图像传感器和相关方法。在一些实施例中，图像传感器具有彼此相邻地成行设置的第一和第二图像传感像素。第一和第二图像传感像素的每个分别具有左PD(相位检测)像素和右PD(相位检测)像素，左PD像素包括可操作地连接到左传输门的左光电二极管，右PD像素包括可操作地连接到右传输门的右光电二极管。第二图像传感像素的右传输门是第一图像传感像素的左传输门沿着第一和第二图像传感像素之间的边界线的镜像。第二图像传感像素的左传输门是第一图像传感像素的右传输门沿着边界线的镜像。本发明实施例涉及全PDAF(相位检测自动聚焦)CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN105990384A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/146 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低-n栅格由低-n栅格部分组成，低-n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低-n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低-n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109728018B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201811284627.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构，且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。
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公开(公告)号：CN119521818A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411542029.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18 , H04N25/13 , H04N23/13 , H04N25/703
Abstract: 一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，集成电路器件包括衬底，衬底包括分别与多个彩色像素相关联的多个第一光电探测器组和分别与多个相位检测像素相关联的多个第二光电探测器组。第一光电探测器组和第二光电探测器组中的每个包括一个或多个光电探测器。该器件还包括在衬底上的栅格结构、衬底上的滤色器和串扰降低结构。栅格结构包括遮光罩，每个遮光罩被配置为将光重定向远离第二光电探测器组中的相应一个。每个滤色器在第一光电探测器组中的相应一个处垂直跨越栅格结构。串扰降低结构横向于滤色器，并限制由每个相位检测像素的遮光罩重定向至彩色像素中的相邻一个的第一光电探测器组的光量。
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公开(公告)号：CN116525631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310204298.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有隔离结构的光学器件及其制造方法。光学器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底、设置在衬底中的第一辐射感测器件和第二辐射感测器件、设置在衬底中并且位于所述第一辐射感测器件和所述第二辐射感测器件之间的第一隔离结构。第一隔离结构具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光学器件还包括设置在衬底中并且位于第一隔离结构的第一表面上的第二隔离结构。第二隔离结构包括金属结构和围绕金属结构的介电层。第二隔离结构在衬底的第一表面上方垂直地延伸。
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