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公开(公告)号：CN105938864A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/20
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
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公开(公告)号：CN105932137A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610426652.0
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。
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公开(公告)号：CN105870279A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610273818.X
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105742421A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610253384.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/42
Abstract: 一种正装LED发光二极管及其制作工艺，涉及LED发光二极管技术领域。在外延层上图形化地刻蚀去除各元胞的P?GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N?GaN层；在外延片表面利用溅射法蒸镀透明导电材料，通过光刻工艺，采用化学蚀刻方法，仅保留各元胞的P?GaN层上的透明导电材料；在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作P电极，在另一个元胞的透明导电层、P?GaN层和量子阱层外包裹式制作N电极，N电极的下端连接在N?GaN层上。本发明保留了N电极下方的部分P?GaN及量子阱层，本发明工艺简单，将原本需要全部刻蚀掉的P?GaN和MQW保留一部分，减少了ICP刻蚀完后的黑点现象的发生及良率的提升。
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公开(公告)号：CN105609603A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610117134.0
申请日：2016-03-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02507 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L31/0392 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , Y02E10/50 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层，在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。并且每一组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层的厚度都分别小于其应力完全释放时的临界厚度。本发明可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN105449057A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510764604.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管，在衬底上依次生成低温缓冲层、高温缓冲层、多孔状反射层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层及透明导电层，P电极设置在透明导电层上，衬底为绝缘衬底时，N电极设置在N型掺杂层上，衬底为导电衬底时，N电极设置在衬底背面；多孔状反射层的组成材料为N型GaN，由具有多孔状结构的N型轻掺层与N型重掺层交替层叠组成。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
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公开(公告)号：CN105428474A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
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公开(公告)号：CN105374914A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510751194.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/14
Abstract: 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105336826A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510765253.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法，在衬底上依次生长外延层；在外延层上制作透明导电层；在透明导电层上定义出切割道；腐蚀切割道至透明导电层和外延层被完全腐蚀，暴露出切割道处衬底；将暴露出切割道的外延片浸没在酸性电解液中，施加正向偏压，进行电化学腐蚀，将交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层制作成多孔状反射层；若衬底为绝缘衬底，在透明导电层上制作P电极，在N型掺杂层上制作N电极；若衬底为导电衬底，在透明导电层上制作P电极，在导电衬底的背面制作N电极；将外延片切割成独立的发光二极管器件。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
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公开(公告)号：CN105304764A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510763780.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1892 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法，包括以下步骤：在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池，该多层子电池由下至上带隙依次减小；在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构；在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层，在导电衬底表面蒸镀金属，并采用键合技术将二者紧密连接；采用化学腐蚀法将外延衬底去除，露出带隙最大的子电池表面；在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛，采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位，并蒸镀金属形成电极；在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜，覆盖电极与金属纳米岛，形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率，增加光线在电池内部的传播距离，增强光线吸收，提高转化效率。
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