-
公开(公告)号：CN114132892A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479932.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MOEMS微镜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤取第一SOI硅片（A）在第一SOI硅片（A）上设有槽体（2），在槽体（2）内形成氧化层（3），在第一SOI硅片（A）上键合有第二SOI硅片（B），在第二顶层硅（B1）上形成第二梳齿结构（4），在第二顶层硅（B1）上键合有双抛硅片（C），在取第一SOI硅片（A）上第一梳齿结构（5），除刻蚀保护氧化层（3），在第一顶层硅（A1）上设置有焊盘金属层（7）和镜面金属（8）。本发明步骤简易、制备方便，保证器件性能精度和一致性，可以实现MOEMS微镜的高良率批量生产。
-
公开(公告)号：CN114132888A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
-
公开(公告)号：CN112265954A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
-
公开(公告)号：CN110683509A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910793476.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。
-
公开(公告)号：CN105293419B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500Å-5000Å的第一氧化层（6）和厚度范围500Å-1500Å的第二氧化层（7），可动结构层8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105182005A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510661916.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种低应力加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。
-
公开(公告)号：CN104355284A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅（3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
-
公开(公告)号：CN103529240A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506796.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN102862947A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
-
公开(公告)号：CN114132891B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.068 seconds)
