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公开(公告)号:CN102963865B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201210340681.7
申请日:2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法,包括以下步骤:a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片,硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜;b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧,放置于键合夹具中固定;c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合,预键合后揭下硅垫片,d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点:(1)本发明不需要化学和物理手段去除,可以提高MEMS器件可动结构的完整性;(2)本发明简单实用,使用方法易于操作,适于生产加工中广泛应用。
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公开(公告)号:CN104192790A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201410465729.6
申请日:2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 一种MEMS器件热应力隔离结构,a、隔热结构体(1)四角分别设有一个凸起的键合面(3),隔热结构体(1)中部形成贯通的空腔(2),空腔中设有纵横交错并且贯通的散热槽(1b);b、隔热结构体(1)四角的键合面(3)通过硅硅键合工艺与MEMS器件的衬底(4)连接,隔热结构体的空腔(2)与MEMS器件中的可动结构(6)对应配合。本发明的优点在于:该热隔离结构简单、易于加工,制作完成后直接与器件层键合即可,大大提高了封装产品的可靠性和器件性能。在封装中,与直接贴片到管壳底部相比,MEMS器件底面键合热隔离结构再贴到管壳底部封装热应力可大大减小。
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公开(公告)号:CN102963865A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210340681.7
申请日:2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法,包括以下步骤:a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片,硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜;b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧,放置于键合夹具中固定;c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合,预键合后揭下硅垫片,d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点:(1)本发明不需要化学和物理手段去除,可以提高MEMS器件可动结构的完整性;(2)本发明简单实用,使用方法易于操作,适于生产加工中广泛应用。
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公开(公告)号:CN117285001A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311560694.X
申请日:2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光MEMS器件结构及其制备方法,它包括由下到上依次叠设键合的衬底结构层、梳齿结构层以及镜面结构层;衬底结构层上设有第一金属键合区,在第一金属键合区内侧设有深腔;梳齿结构层包括与镜面结构层键合连接的第二金属键合区、第三金属键合区,以及梳齿结构和与梳齿结构连接的金属焊点,在梳齿结构表面设有压敏电阻结构;镜面结构层包括镜面框和位于镜面框内侧的镜面结构,镜面框通过第二金属键合区与梳齿结构层连接,镜面结构下端面连接支撑柱,支撑柱通过第三金属键合区与梳齿结构层连接。本发明的顶伞式镜面结构可以提高镜面占空比,缩小芯片面积,并且通过集成制作压敏电阻结构,可以实现微光学镜面的精确驱动控制和角度解算。
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公开(公告)号:CN116644625B
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202310386061.5
申请日:2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法,属于微机电系统领域,包括:建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系,先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系,再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真,从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析,该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号:CN110668391B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201910793511.6
申请日:2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构,包括相互键合的衬底层与可动结构层,衬底层顶部中心设有空腔,衬底层顶部设有环形隔离槽,环形隔离槽位于空腔外周,环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点;可动结构层包含可动结构外框,可动结构外框内设有双端固支板结构,可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽,环形应力释放槽与环形隔离槽相对应;环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑;双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁;本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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公开(公告)号:CN114132892A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479932.5
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MOEMS微镜的制备方法,其特征在于它包括以下步骤取第一SOI硅片(A)在第一SOI硅片(A)上设有槽体(2),在槽体(2)内形成氧化层(3),在第一SOI硅片(A)上键合有第二SOI硅片(B),在第二顶层硅(B1)上形成第二梳齿结构(4),在第二顶层硅(B1)上键合有双抛硅片(C),在取第一SOI硅片(A)上第一梳齿结构(5),除刻蚀保护氧化层(3),在第一顶层硅(A1)上设置有焊盘金属层(7)和镜面金属(8)。本发明步骤简易、制备方便,保证器件性能精度和一致性,可以实现MOEMS微镜的高良率批量生产。
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公开(公告)号:CN114132888A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479241.5
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统,包括:固定滤光结构层,在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极(13)、驱动检测电极(12)、下支撑柱(14)、信号输入端(18),在信号输入端上设有导电键合层(16);可动滤光结构层光刻可动结构(22)、上支撑柱(23),将上支撑柱、下支撑柱键合连接,由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔;盖帽层(30)设有垂直导电柱(31)、导电金属(35)和PAD点(33);驱动电路芯片(40)联于PAD点(41)。本发明有益效果:将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体,提高了光学占空比,增加了驱动力,提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号:CN112265954A
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN202011162993.4
申请日:2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法,包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层;所述玻璃盖板层包括玻璃片,玻璃片底部设有环形的硅密封框,硅密封框的框底设有浆料键合密封环;所述器件结构层包括可动结构,可动结构顶面设有镜面金属层;TSV盖板层包括硅片,硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔;玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合;所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合;该封装采用晶圆级封装,解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号:CN105293419B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510661530.5
申请日:2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件,其特征在于:衬底硅(3)表面设有浅腔4)、电极(9)及电极隔离槽(5),在浅腔(4)表面设有厚度1500Å-5000Å的第一氧化层(6)和厚度范围500Å-1500Å的第二氧化层(7),可动结构层8)键合到衬底的SOI硅片顶层硅(3)上;盖帽硅片(10)通过玻璃浆料(11)与衬底的SOI硅片顶层硅(3)键合,实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于:采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护,即能很好地保护下电极结构不被刻蚀,又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤,保证可动结构的完整性,器件结构实现方法简单、可行,便于形成标准工艺。
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