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公开(公告)号：CN102050426B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910237082.0
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。
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公开(公告)号：CN100355034C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410088544.4
申请日：2004-11-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/302 , C11D7/34 , C09K13/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH2)2)，硫化氨((NH4)2Sx)或氯化硫(S2Cl2)，溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水，溶液浓度为0.1%～50%；本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗，除去表面的油渍，将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间的高质量键合，并且环保。
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公开(公告)号：CN1531155A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN03120468.6
申请日：2003-03-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/10 , H01L21/306 , C23F1/16 , H01L31/18 , H01L33/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN117478890A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311533363.7
申请日：2023-11-16
Applicant: 咪咕视讯科技有限公司 , 咪咕文化科技有限公司 , 中国移动通信集团有限公司 , 北京邮电大学
IPC: H04N19/159 , H04N19/176 , H04N19/136 , H04N19/156 , H04N19/42
Abstract: 本申请公开了一种仿射模式的选择方法、装置、设备及可读存储介质，涉及图像处理技术领域，以避免选择仿射模式所占用的资源较多的问题。包括：采用预设分辨率，对预先选取的量化参数点进行视频编码，获取量化参数点中每个编码块在视频编码过程中生成的仿射模式特征值；根据仿射模式特征值，对每个编码块测试第一仿射模式，获取编码时间和编码性能的权衡度判断结果，根据编码时间和编码性能的权衡度判断结果，确定所述第一仿射模式保留阈值；采用目标仿射模式特征，对预先设置的决策树模型进行训练，获取仿射模式决策树模型；根据仿射模式决策树模型生成仿射模式快速算法，采用仿射模式快速算法进行仿射模式选择。
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公开(公告)号：CN115663596A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211229143.0
申请日：2022-10-09
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法。该结构包括依次层叠设置的下势垒层、量子阱层、成核结构和上势垒层；其中，成核结构的形貌为岛状和/或沟槽状，成核结构未全部覆盖量子阱层；成核结构的带隙宽度不等于上势垒层的带隙宽度。本发明能够减少量子阱内载流子的横向扩散，从而减少载流子在量子阱结构中位错区域的非辐射复合，提高量子阱结构的发光性能。采用该量子阱结构作为有源区的激光器对位错的容忍度将得到明显提升，尤其是硅基异质外延生长的Ⅲ‑Ⅴ族半导体量子阱激光器。本发明切实可行，为半导体量子阱结构的生长提供了全新的方案，将推进对应的半导体量子阱激光器在硅基光电集成芯片中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582503A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210173627.1
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多元线性回归和相关性加权选择算法的血压监测方法，属于数字信号处理领域。本发明的血压监测方法包括步骤：信号采集和预处理、特征点提取和特征值计算、特征类型的分类、数学模型的建立、验证和输出。本发明检测精度较高，能够较准确的反应血压的变化趋势，检测值与实际值的相关性较好，实现了血压实时、准确的监测。同时本发明的血压检测方法复杂度低，计算量小，能够有效的从光电容积脉搏波信号中提取血压，适用于各种现有的可穿戴设备，该方法利用线性回归的高效性，结合提取特征类型，根据不同特征类型与血压的相关性进行特征分类，通过对血压值的加权量化，实现了对血压的准确监测，适用于可穿戴设备中的血压检测。
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公开(公告)号：CN114566423A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011359732.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN111751909B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010502084.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统，该超透镜包括周期性薄膜结构和至少一层纳米间隙层，其中：所述周期性薄膜结构是由金属层和介质层堆叠构成的，所述纳米间隙层的两侧为所述介质层。本发明实施例通过引入纳米间隙层，使得坡音廷矢量在纳米间隙层与介质层的交界面处发生传播方向的偏折，从而导致物像的主瓣和旁瓣的对数比增大，大幅改善两个及两个以上物体成像时，多个像点的旁瓣与旁瓣之间以及旁瓣与主瓣之间互相重叠导致的干扰问题，并能对静止的物体和/或移动的物体进行突破衍射极限的纳米级超高分辨率三维成像，在纳米材料实时成像、生物医学成像和超精密纳米光刻等领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN111223955B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN111098295B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911326495.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于记忆合金的智能蛇形臂机器人系统，其由蛇形臂、蛇形臂收线模块、驱动模块和远程控制模块组成。蛇形臂是由多个结构相同的蛇形臂关节首尾相连组成，蛇形臂初始状态缠绕于蛇形臂收线模块中；蛇形臂关节由记忆合金，尼龙棒，导线，连接架组成，通过导线向记忆合金的两端施加电压，使得记忆合金本身的温度发生变化，改变记忆合金的伸缩长度，来改变蛇形臂关节在整个空间中的位置和姿态。本发明的智能蛇形臂机器人系统可实现控制与驱动相分离，能够远程操控，使得蛇形臂机器人能够适用于医疗，抗灾救援等各种复杂环境。本发明操作简单，具有高精度，智能化，应用场景广泛的特点。
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