公开(公告)号：CN101685774A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810161833.0

申请日：2008-09-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  叶显 ,  吕吉贺 ,  蔡世伟 ,  黄永清 ,  王琦

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。

公开(公告)号：CN102050426A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910237082.0

申请日：2009-11-10

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  叶显 ,  郭经纬 ,  蔡世伟 ,  黄永清 ,  王琦

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。

公开(公告)号：CN102050426B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200910237082.0

申请日：2009-11-10

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  叶显 ,  郭经纬 ,  蔡世伟 ,  黄永清 ,  王琦

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。

公开(公告)号：CN102040191B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200910209480.1

申请日：2009-10-30

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  郭经纬 ,  叶显 ,  王琦 ,  蔡世伟 ,  黄永清

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。

公开(公告)号：CN101685774B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810161833.0

申请日：2008-09-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  叶显 ,  吕吉贺 ,  蔡世伟 ,  黄永清 ,  王琦

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。

公开(公告)号：CN102040191A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910209480.1

申请日：2009-10-30

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  郭经纬 ,  叶显 ,  王琦 ,  蔡世伟 ,  黄永清

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。