公开(公告)号：CN100355034C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410088544.4

申请日：2004-11-08

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  王兴妍 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/302 ,  C11D7/34 ,  C09K13/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH2)2)，硫化氨((NH4)2Sx)或氯化硫(S2Cl2)，溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水，溶液浓度为0.1%～50%；本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗，除去表面的油渍，将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间的高质量键合，并且环保。

公开(公告)号：CN1531155A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN03120468.6

申请日：2003-03-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  王兴妍 ,  黄辉 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01S5/10 ,  H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。

公开(公告)号：CN100388575C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03120468.6

申请日：2003-03-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  王兴妍 ,  黄辉 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01S5/10 ,  H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。

公开(公告)号：CN1632925A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410088544.4

申请日：2004-11-08

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 黄辉 ,  任晓敏 ,  王兴妍 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/302 ,  C11D7/34 ,  C09K13/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH2)2)，硫化氨((NH4)2Sx)或氯化硫(S2Cl2)，溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水，溶液浓度为0.1％～50％；本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗，除去表面的油渍，将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间的高质量键合，并且环保。