公开(公告)号：CN104218074A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410471771.9

申请日：2014-09-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  韩德栋 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  丛瑛瑛 ,  张翼 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/363 ,  H01L21/443 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的氧化锌铝非晶半导体薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该非晶半导体薄膜中的锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。本发明采用射频磁控溅射方法制备掺杂稀土元素的氧化锌铝薄膜材料，在溅射过程中调节氧气氛的分压比形成具有非晶特性的高迁移率的沟道材料。本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，可制备出高迁移率的稀土掺杂氧化物半导体薄膜晶体管，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。

公开(公告)号：CN104201195A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410429391.9

申请日：2014-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙雷 ,  徐浩 ,  张一博 ,  韩静文 ,  王漪 ,  张盛东

IPC: H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66477

Abstract: 一种结合垂直沟道和无结结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区(2)位于垂直沟道(4)的底部，与衬底(1)相接，漏区(3)位于垂直沟道(4)的顶部，栅介质层(5)和栅电极(6)呈环状围绕住垂直沟道(4)；源区(2)和漏区(3)与沟道(4)采用相同类型和浓度的杂质掺杂。本发明所述的晶体管利用源漏沟道相同掺杂极大地降低了热预算消除了杂质扩散和突变结的形成问题、简化了工艺要求，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。

公开(公告)号：CN103904118A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410085379.0

申请日：2014-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  张伟兵 ,  后羿 ,  高滨 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/77 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L27/1104

Abstract: 本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。该方法包括：在衬底上依次沉积SiO2、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO2，通过反应离子刻蚀SiO2、多晶硅、SiO2层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO2层，反应离子刻蚀沉积的SiO2和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO2，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO2层，形成上选择管的沟道区域。

公开(公告)号：CN102522337B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110423372.1

申请日：2011-12-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  王亮亮 ,  王漪 ,  张盛东 ,  任奕成 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条件下连续生长的，节约制造成本，且减小了空气、灰尘等外界杂质对各层薄膜的污染，有效提高氧化锌薄膜晶体管器件的性能。

公开(公告)号：CN102117822B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200910244442.X

申请日：2009-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  孙兵 ,  高滨 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  王漪

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括肖特基二极管；所述肖特基二极管作为开关及电流驱动单元设置于所述单晶硅衬底与所述阻变存储材料层之间。其中阻变存储材料层和肖特基二极管都可以用传统CMOS工艺来制备。该1D-1R结构可有效克服在小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，可有效应用于阻变非挥发性存储器单元中，获得具有足够驱动电流、高密度、高可靠性阻变存储单元，且其制备方法是与传统CMOS工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103050544A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310018388.3

申请日：2013-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  张索明 ,  田宇 ,  单东方 ,  黄福青 ,  丛瑛瑛 ,  王漪 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺镓的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺镓的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌镓薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102593008A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210050309.2

申请日：2012-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  王亮亮 ,  韩德栋 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  耿友峰 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。

公开(公告)号：CN101984506B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010504099.0

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。

公开(公告)号：CN102157693A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110032097.0

申请日：2011-01-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  王旭 ,  范志伟 ,  张天舒 ,  陆自清 ,  王宝 ,  王琰 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括下电极组件、上电极组件、用于将下电极组件和上电极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中下电极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半导体薄膜中的纳米颗粒表面上附着的染料，并且上电极组件包括上透明导电基板，太阳光从上电极组件一侧入射，其中所述上电极组件还包括在上透明导电基板上形成的α-Si薄膜太阳能电池，所述α-Si薄膜太阳能电池包括依次堆叠的P型α-Si薄膜、I型α-Si薄膜和N型α-Si薄膜，N型α-Si薄膜与纳米氧化物半导体薄膜相对设置，并且N型α-Si薄膜和纳米氧化物半导体薄膜与电解质接触。

公开(公告)号：CN102157565A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110020661.7

申请日：2011-01-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  贺鑫 ,  王漪 ,  韩德栋 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，在保持源漏区具有高的载流子浓度的同时，使沟道区具有低的载流子浓度；另外，晶体管的阈值电压由后续低温下具有氧化功能的等离子体处理条件所控制，因此晶体管特性的可控性大为提高，制作的工艺流程也有所简化。