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公开(公告)号：CN102646719B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210124214.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O，X是La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于Sn-X-Zn-O的薄膜晶体管，增强了氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，减弱了对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响，提高了器件制备的一致性；以Sn取代In，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102194577B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110056427.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，包括阴极组件、阳极组件、用于将阴极组件和阳极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中阴极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半导体薄膜中的纳米颗粒表面上附着的染料，并且阳极组件包括上透明导电基板、以及在上透明导电基板上形成的阳极电极层，所述纳米氧化物半导体薄膜与所述阳极电极层相对设置并且与电解质接触，其中所述阳极组件还包括图案化而包括开口的CdTe层，所述阳极电极层位于所述CdTe层的开口内。本发明的太阳能电池获得了高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102194999A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050635.9
申请日：2011-03-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种复合太阳能电池，包括串联的染料敏化太阳能电池和电压源，该染料敏化太阳能电池的阳极与电压源的负极电连接，并且染料敏化太阳能电池的阴极作为复合太阳能电池的阴极，电压源的正极作为复合太阳能电池的阳极。该复合太阳能电池中的染料敏化太阳能电池具有提高的转换效率。
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公开(公告)号：CN102157693A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110032097.0
申请日：2011-01-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括下电极组件、上电极组件、用于将下电极组件和上电极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中下电极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半导体薄膜中的纳米颗粒表面上附着的染料，并且上电极组件包括上透明导电基板，太阳光从上电极组件一侧入射，其中所述上电极组件还包括在上透明导电基板上形成的α-Si薄膜太阳能电池，所述α-Si薄膜太阳能电池包括依次堆叠的P型α-Si薄膜、I型α-Si薄膜和N型α-Si薄膜，N型α-Si薄膜与纳米氧化物半导体薄膜相对设置，并且N型α-Si薄膜和纳米氧化物半导体薄膜与电解质接触。
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公开(公告)号：CN106981194A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710301222.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 北京大学
IPC: G08G1/01
CPC classification number: G08G1/0104
Abstract: 本发明公布了一种高速路网中关键路段的识别方法，首先利用社群划分算法将路网划分成多个子社群网络；再通过概率假设方法对路网建模，在每个子社群网络中，各求解得到候选关键路段；再采用动态规划方法从候选关键路段中找到最终的关键路段，作为高速路网中的关键路段，使得投资所述关键路段的组合能够实现路网通行效率最高。本发明提供方法根据流量和路网特性挖掘路网中的关键路段，能够准确高效的挖掘出高速路网中的关键路段，解决关键路段挖掘问题，可以成为实际应用中挖掘高速路网中关键路段的有效手段，能够为交通部门的整体规划提供参考依据，为高速公路管理人员高效率管理高速路网提供支撑手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129257A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610761443.1
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜光电晶体管包括：覆盖有二氧化硅的硅衬底，所述硅衬底上表面的中间部分覆盖有金属氧化物层，所述金属氧化物层上的两端镀有源漏金属电极，中间为有机无机杂化钙钛矿层，所述硅衬底的上方设有一层钝化层，所述的钝化层将所述金属氧化层、所述有机无机杂化钙钛矿材料层全部覆盖。本发明可以将金属氧化物半导体与有机无机杂化钙钛矿相结合，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有响应快速、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号：CN102194577A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110056427.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，包括阴极组件、阳极组件、用于将阴极组件和阳极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中阴极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半导体薄膜中的纳米颗粒表面上附着的染料，并且阳极组件包括上透明导电基板、以及在上透明导电基板上形成的阳极电极层，所述纳米氧化物半导体薄膜与所述阳极电极层相对设置并且与电解质接触，其中所述阳极组件还包括图案化而包括开口的CdTe层，所述阳极电极层位于所述CdTe层的开口内。本发明的太阳能电池获得了高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106981194B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710301222.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 北京大学
IPC: G08G1/01
Abstract: 本发明公布了一种高速路网中关键路段的识别方法，首先利用社群划分算法将路网划分成多个子社群网络；再通过概率假设方法对路网建模，在每个子社群网络中，各求解得到候选关键路段；再采用动态规划方法从候选关键路段中找到最终的关键路段，作为高速路网中的关键路段，使得投资所述关键路段的组合能够实现路网通行效率最高。本发明提供方法根据流量和路网特性挖掘路网中的关键路段，能够准确高效的挖掘出高速路网中的关键路段，解决关键路段挖掘问题，可以成为实际应用中挖掘高速路网中关键路段的有效手段，能够为交通部门的整体规划提供参考依据，为高速公路管理人员高效率管理高速路网提供支撑手段。
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公开(公告)号：CN105098082A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510485940.9
申请日：2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0002
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层；采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层；在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积生产。
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公开(公告)号：CN102709312B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210125134.7
申请日：2012-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于In-X-Zn-O的薄膜晶体管，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，提高晶体的晶化温度以提高器件制备的一致性，减弱氧化物薄膜沟道层对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响。
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