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公开(公告)号：CN117637481A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311568974.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道氧化物薄膜晶体管的制备方法，属于集成电路领域。该方法制备的垂直沟道氧化物薄膜晶体管包括低阻硅衬底、源/漏电极、有源层、栅介质、栅电极，源/漏电极分居有源层上下两侧，栅介质位于有源层上侧的源/漏电极之上和有源层及源/漏电极两侧，单/双栅电极位于栅介质之上。本发明制备垂直沟道氧化物薄膜晶体管涉及单栅结构和双栅结构两种类型，该方法利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术，有望实现垂直沟道氧化物薄膜晶体管的规模化制备，步骤简单、成本低、可操作性强，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113013250A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110205068.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/443
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN112447855A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910826414.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，属于集成电路制造和显示领域。本发明的核心是整个薄膜晶体管全部采用原子层淀积技术制备，工艺温度低、成膜质量高、薄膜厚度控制精确。薄膜晶体管的绝缘层和有源层，采用相同的工艺手段、相同的淀积温度，可以连续生长，有利于减少沟道和绝缘体的界面陷阱和界面微变形，提高界面质量，改善器件的亚阈值摆幅。且有源层和绝缘层共用相同的光刻掩膜版图形化，因此减少了一次光刻，节约了工艺制造成本。本发明有望在未来的TFT集成电路和新型显示中得到应用。
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公开(公告)号：CN110942742B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911256402.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G11C19/28
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，涉及显示技术领域。所述栅极驱动单元包括移位寄存模块、输出模块和下拉模块；移位寄存模块分别在第一时钟信号和第二时钟信号的控制下，根据输入信号，控制第一节点的电压信号和第二节点的电压信号；输出模块在第一节点的电压信号与第二节点的电压信号的控制下，控制栅极驱动信号输出端与第一时钟信号端之间连通；下拉模块在第二节点的电压信号的控制下，控制栅极驱动信号输出端与第一电压端之间连通。本发明所述的栅极驱动单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置特性稳定。所述显示装置可以为有机发光二极管显示装置、液晶显示装置或聚合物发光器件显示装置。
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公开(公告)号：CN110600532B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911103786.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列层；第一有机绝缘层；多个第一电极；第二有机绝缘层；有机发光层；以及，第二电极；第一电极、有机发光层以及第二电极构成有机电致发光器件；相邻的具有相同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第一间隔，对应于第一间隔的第二有机绝缘层具有第一高度；相邻的具有不同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第二间隔，对应于第二间隔的第二有机绝缘层具有第二高度；第二高度大于第一高度。本发明可降低制作难度，提升打印精度和打印速度，提升有机发光层的膜厚均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110689848A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911256185.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G09G3/3233 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示装置和驱动方法。显示装置具有显示区域、驱动电路区域以及位于显示区域与驱动电路区域之间的过渡区域；在第一方向上，过渡区域的宽度小于驱动电路区域的宽度，过渡区域的宽度小于显示区域的宽度；显示装置还包括设置于显示区域的阵列排布的多个像素电路；像素电路包括相互电连接的第一发光元件和像素驱动电路，像素驱动电路用于为第一发光元件提供驱动电流；第一发光元件包括第一电极、第二电极，以及，位于第一电极和第二电极之间的发光层；不同的所述第一发光元件包括的第一电极彼此间隔设置。本发明在显示区域和驱动电路区域之间设置过渡区域，在所述过渡区域内能够设置虚拟发光元件，以提升发光显示的均匀性。
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公开(公告)号：CN110600532A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911103786.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：薄膜晶体管阵列层；第一有机绝缘层；多个第一电极；第二有机绝缘层；有机发光层；以及，第二电极；第一电极、有机发光层以及第二电极构成有机电致发光器件；相邻的具有相同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第一间隔，对应于第一间隔的第二有机绝缘层具有第一高度；相邻的具有不同颜色的子像素包括的第一电极之间具有第二间隔，对应于第二间隔的第二有机绝缘层具有第二高度；第二高度大于第一高度。本发明可降低制作难度，提升打印精度和打印速度，提升有机发光层的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN105627995B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610196256.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G01C11/02
Abstract: 本发明提供一种摄像装置、转动装置、测距装置、测距系统和测距方法，该摄像装置用于对目标物体进行测距，包括：一摄像头，包括一感光器件和一透镜组；一转动机构，带动所述摄像头以所述感光器件的中心点所在直线为旋转轴，在一转动平面上的第一位置和第二位置之间转动，其中，所述摄像头位于第二位置时，所述目标物体在所述感光器件上的成像位置在一投影平面上的投影位于所述感光器件的中心点在所述投影平面的投影上，所述投影平面平行于所述转动平面。摄像头在第一位置时目标物体在感光器件上的成像位置，以及摄像头在第一位置和第二位置之间的转动角度，可用于计算目标物体与摄像头的距离，即采用一个摄像头便可完成物体的测距。
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公开(公告)号：CN105280141B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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公开(公告)号：CN106098559A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610451639.0
申请日：2016-06-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成栅电极和栅介质，其中栅电极部分覆盖于衬底上，栅介质覆盖于衬底和栅电极上；在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导电层并经过光刻和刻蚀后形成源区和漏区；在栅介质、源区和漏区上形成有源区；在栅介质、源区、漏区和有源区上形成源区接触电极和漏区接触电极；对器件进行退火处理。本发明的有益效果在于，在退火过程中，源区和漏区中的铝和/或钛将扩散进入与之接触处附近的有源区内，形成低阻的接触过渡区，能有效降低源区/漏区与有源层的接触电阻，从而减小源/漏寄生电阻对器件特性的影响。
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