公开(公告)号：CN106373998A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610946324.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  邵阳 ,  周晓梁 ,  张乐陶 ,  卢慧玲

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤：在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A，然后经图形化得到栅极；采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层，覆盖栅极作为栅介质层；采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化物半导体层；采用电镀法在金属氧化物半导体层上生长金属层B；在金属氧化半导体层和金属层B的中间位置分别制备沟道区和钝化区；在大气压条件下对沟道区内的金属氧化物半导体和钝化区内的金属分别进行阳极氧化处理，得到沟道层和钝化层；制作漏区和源区。本发明为非真空电化学方法，所需设备简单便宜，只需在室温和大气环境下进行，无需经过高温或长时间退火，是一种操作简单、低成本的低温工艺，适用于大批量生产。

公开(公告)号：CN106098559A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610451639.0

申请日：2016-06-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  肖祥 ,  邵阳 ,  张乐陶 ,  王漪

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742

Abstract: 本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成栅电极和栅介质，其中栅电极部分覆盖于衬底上，栅介质覆盖于衬底和栅电极上；在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导电层并经过光刻和刻蚀后形成源区和漏区；在栅介质、源区和漏区上形成有源区；在栅介质、源区、漏区和有源区上形成源区接触电极和漏区接触电极；对器件进行退火处理。本发明的有益效果在于，在退火过程中，源区和漏区中的铝和/或钛将扩散进入与之接触处附近的有源区内，形成低阻的接触过渡区，能有效降低源区/漏区与有源层的接触电阻，从而减小源/漏寄生电阻对器件特性的影响。