公开(公告)号：CN112447855A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910826414.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  李慧津 ,  董俊辰 ,  王漪 ,  周孝斌 ,  衣壮 ,  周大中

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，属于集成电路制造和显示领域。本发明的核心是整个薄膜晶体管全部采用原子层淀积技术制备，工艺温度低、成膜质量高、薄膜厚度控制精确。薄膜晶体管的绝缘层和有源层，采用相同的工艺手段、相同的淀积温度，可以连续生长，有利于减少沟道和绝缘体的界面陷阱和界面微变形，提高界面质量，改善器件的亚阈值摆幅。且有源层和绝缘层共用相同的光刻掩膜版图形化，因此减少了一次光刻，节约了工艺制造成本。本发明有望在未来的TFT集成电路和新型显示中得到应用。

公开(公告)号：CN107916398B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN107916398A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。