公开(公告)号：CN107916398B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN107916398A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。