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公开(公告)号：CN112447855A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910826414.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，属于集成电路制造和显示领域。本发明的核心是整个薄膜晶体管全部采用原子层淀积技术制备，工艺温度低、成膜质量高、薄膜厚度控制精确。薄膜晶体管的绝缘层和有源层，采用相同的工艺手段、相同的淀积温度，可以连续生长，有利于减少沟道和绝缘体的界面陷阱和界面微变形，提高界面质量，改善器件的亚阈值摆幅。且有源层和绝缘层共用相同的光刻掩膜版图形化，因此减少了一次光刻，节约了工艺制造成本。本发明有望在未来的TFT集成电路和新型显示中得到应用。
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